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龙图腾网获悉湖南德智新材料股份有限公司申请的专利一种制备高导热碳化硅涂层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120989581B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511475905.9，技术领域涉及：C23C16/32；该发明授权一种制备高导热碳化硅涂层的方法是由王菲;余盛杰;廖家豪设计研发完成，并于2025-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种制备高导热碳化硅涂层的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体材料制备的技术领域，提供一种制备高导热碳化硅涂层的方法。该方法采用两次化学气相沉积工艺，在基体表面依次沉积第一碳化硅涂层和第二碳化硅涂层；其中，第一碳化硅涂层中碳化硅的晶粒尺寸为Aμm，第二碳化硅涂层中碳化硅的晶粒尺寸为Bμm，A、B满足：A≥70；B≥70；1＜BA≤2.2；同时结合沉积后的热处理工艺，可实现结合强度、导热性能和耐刻蚀性能的同步提升。

本发明授权一种制备高导热碳化硅涂层的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备高导热碳化硅涂层的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1对基体进行预处理后放置于化学气相沉积设备中，对所述化学气相沉积设备进行抽真空，再用惰性气体置换所述化学气相沉积设备中的空气并加热； 2将第一硅碳源气体、第一载气和第一稀释气体的混合气体通入所述化学气相沉积设备中，控制第一沉积温度为1350℃-1600℃，第一沉积压力为5KPa-50KPa，采用化学气相沉积工艺在所述基体的表面进行第一次沉积获得第一碳化硅涂层； 3将步骤2中得到的第一碳化硅涂层再次放置于化学气相沉积设备中，通入第二硅碳源气体、第二载气和第二稀释气体的混合气体，控制第二沉积温度为1350℃-1600℃，第二沉积压力为5KPa-50KPa，采用化学气相沉积工艺在所述第一碳化硅涂层的表面进行第二次沉积获得第二碳化硅涂层； 4降温后进行热处理，所述热处理的温度为1500℃-1600℃，时间为3h-6h； 其中，所述第一碳化硅涂层中碳化硅的晶粒尺寸记为Aμm，所述第二碳化硅涂层中碳化硅的晶粒尺寸记为Bμm，A满足：70≤A≤120；B满足：90≤B≤150；1＜BA≤2.2； 所述第一碳化硅涂层的厚度记为m1，所述第二碳化硅涂层的厚度记为m2；m1和m2满足：0.8≤m1m2≤1.5； 第一硅碳源气体和第一载气的摩尔比、第二硅碳源气体和第二载气的摩尔比各自独立地满足1:40-100； 第一次沉积和第二次沉积的沉积时间各自独立地为4h-6h。

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