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龙图腾网获悉江苏富乐华功率半导体研究院有限公司;四川富乐华半导体科技有限公司申请的专利一种反应烧结氮化硅瓷片制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120923248B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511181322.5，技术领域涉及：C04B35/587；该发明授权一种反应烧结氮化硅瓷片制备方法是由葛荘;王斌;崔梦德;丁颖颖设计研发完成，并于2025-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种反应烧结氮化硅瓷片制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及氮化硅瓷片技术领域，具体为一种反应烧结氮化硅瓷片制备方法，包括以下步骤：S1制备纳米分散液；S2将六方多孔氮化硼加入纳米分散液中进行混合；S3将烧结助剂、硅粉和六方多孔氮化硼纳米混合液放入到球磨机中进行制浆，得到浆料；S4将浆料经流延机流延成型，得到流延生坯；S5将流延生坯放在敷粉机上进行敷粉，得到敷粉后的生坯；S6将敷粉后的生坯叠层放置在热风排胶炉中进行排胶处理，得到叠层生坯；S7将叠层生坯进行烧结处理，得到反应烧结氮化硅瓷片。本发明使用六方多孔氮化硼作为硅粉氮化的催化助剂，为反应烧结氮化硅瓷片制备提供了新方法，所制的氮化硅瓷片具有较高的热导率和抗弯强度。

本发明授权一种反应烧结氮化硅瓷片制备方法在权利要求书中公布了：1.一种反应烧结氮化硅瓷片制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 步骤S1：将纳米氮化硅粉末和分散剂加入到乙醇中，超声功率100~200W，超声30~120min，得到纳米分散液； 步骤S2：将纳米分散液与六方多孔氮化硼混合后，进行超声处理，得到超声后的混合体系；将超声后的混合体系转移至行星球磨机进行机械研磨，得到六方多孔氮化硼纳米混合液； 步骤S3：将烧结助剂、硅粉和六方多孔氮化硼纳米混合液加入球磨机中，在50~220rmin的转速下球磨6~12h，得到混合均匀的浆料；将混合均匀的浆料置于真空环境中进行脱泡处理，得到脱泡后的浆料； 步骤S4：将脱泡后的浆料通过流延机均匀刮涂在膜带上后送入烘干段干燥，制得厚度为0.20~0.50mm的流延生坯，切割成型； 步骤S5：采用喷粉工艺，在敷粉机上将六方多孔氮化硼粉末均匀喷涂于切割后的流延生坯表面，得到敷粉后的生坯； 步骤S6：将敷粉后的生坯进行叠层组装，每层10~30片，经装框固定后置于热风排胶炉中进行排胶处理，得到叠层生坯； 步骤S7：将叠层生坯进行烧结处理，得到反应烧结氮化硅瓷片； 所述纳米氮化硅经过改性处理，具体改性步骤如下： 将γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷溶解于质量浓度90%丙酮水溶液中，加入纳米氮化硅粉末，以2000rmin的转速高速分散2~3min，形成悬浮液；悬浮液在30~35℃条件下持续振荡5~6h，过滤、干燥，获得改性纳米氮化硅； 所述六方多孔氮化硼经过改性处理，具体改性步骤如下： 1取六方多孔氮化硼加入到5molL氢氧化钠水溶液中，80~85℃磁力搅拌48~50h，反应完成后抽滤，用去离子水洗涤至滤液pH值为6.9~7.1,120~125℃干燥24~26h，得到羟基化六方多孔氮化硼，研磨备用； 2取质量浓度95%乙醇溶液，加入γ-氨丙基三乙氧基硅烷，60~65℃水浴搅拌3~4h，随后加入羟基化六方多孔氮化硼，继续60~65℃搅拌3~4h，反应完成后抽滤洗涤，90~100℃干燥12~14h，得到硅烷偶联剂改性六方多孔氮化硼； 3将硅烷偶联剂改性六方多孔氮化硼分散于去离子水中，加入无水乙醇，超声分散1~2h，加入盐酸多巴胺和三羟甲基氨基甲烷盐酸盐，调节pH至8~8.5,80~85℃搅拌6~7h，反应完成后抽滤洗涤至滤液无色pH值为6.9~7.1,60~65℃干燥24~26h，研磨后得到改性六方多孔氮化硼。

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