北京集成电路装备创新中心有限公司朱子镝获国家专利权
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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利光刻返工方法及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120767194B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510839025.9，技术领域涉及：H10P76/40；该发明授权光刻返工方法及半导体工艺设备是由朱子镝;罗永坚;朱文明;戚利设计研发完成，并于2025-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本光刻返工方法及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种光刻返工方法及半导体工艺设备。光刻返工方法包括：等离子体灼烧步，向工艺腔室内通入工艺气体并激发产生等离子体，以使等离子体与工艺腔室内的残留物质反应；无晶圆清洁步，向工艺腔室内通入工艺气体并激发产生等离子体；去除步，将缺陷晶圆置于工艺腔室内，向工艺腔室内通入工艺气体并激发产生等离子体，以使等离子体与缺陷晶圆上的软掩膜层反应，将去除软掩膜层后的晶圆从工艺腔室内取出，返回执行无晶圆清洁步。本发明提供的光刻返工方法及半导体工艺设备，有利于减小返工前后硬掩膜层的线宽差异，提高产品的稳定性和良率，且能够适用于金属硬掩膜层。
本发明授权光刻返工方法及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种光刻返工方法，其特征在于，包括： 等离子体灼烧步，向工艺腔室内通入工艺气体并激发产生等离子体，以使所述等离子体与所述工艺腔室内的残留物质反应； 无晶圆清洁步，向所述工艺腔室内通入工艺气体并激发产生等离子体，以使所述等离子体与所述工艺腔室内的残留物质反应； 去除步，将缺陷晶圆置于所述工艺腔室内，向所述工艺腔室内通入工艺气体并激发产生等离子体，以使所述等离子体与所述缺陷晶圆上的软掩膜层反应，将去除所述软掩膜层后的晶圆从所述工艺腔室内取出，返回执行所述无晶圆清洁步。
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