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龙图腾网获悉全磊光电股份有限公司申请的专利一种脊形波导、高性能CW激光器外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120545801B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510676944.9，技术领域涉及：H01S5/22；该发明授权一种脊形波导、高性能CW激光器外延结构及其制备方法是由杨玲芳;单智发;张永;陈阳华;李洪雨设计研发完成，并于2025-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种脊形波导、高性能CW激光器外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种脊形波导、高性能CW激光器外延结构及其制备方法，属于半导体领域。本发明将主波导的101的脊宽范围Wm控制在5～10μm，无源波导102的脊宽范围Wp控制在1.5～5μm，构建了0.8μm间隙的锥形耦合区，通过模式选择共振Q值＞1×104实现500mA注入电流下单模输出边模抑制比＞45dB，功率饱和阈值提升至520mA，较传统单脊波导360mA提高44％。本发明的脊形波导还突破了现有双脊波导因间隙控制精度不足±0.1μm导致的模式跳变缺陷。

本发明授权一种脊形波导、高性能CW激光器外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种脊形波导，其特征在于，包括主波导101和无源波导102； 所述主波导101包括依次层叠的第一P-InP缓冲层010-1、第一P-InGaAsP光栅层011-1、第一P-InP光栅掩埋层012-1、第一P-InP联接层013-1、第一P-InGaAsP势垒渐变层014-1、第一P-InGaAsP势垒渐变层015-1、第一P-InGaAs欧姆接触层016-1； 所述无源波导102包括依次层叠的第二P-InP缓冲层010-2、第二P-InGaAsP光栅层011-2、第二P-InP光栅掩埋层012-2、第二P-InP联接层013-2、第二P-InGaAsP势垒渐变层014-2、第二P-InGaAsP势垒渐变层015-2、第二P-InGaAs欧姆接触层016-2； 所述主波导101的脊宽范围Wm为5~10μm，无源波导102的脊宽范围Wp为1.5~5μm；所述主波导101和无源波导102之间的距离S为2~6μm； 所述第一P-InP缓冲层010-1和第二P-InP缓冲层010-2的厚度独立地为80±2.4nm； 所述第一P-InGaAsP光栅层011-1和第二P-InGaAsP光栅层011-2的厚度独立地为30±0.9nm，所述第一P-InGaAsP光栅层011-1和第二P-InGaAsP光栅层011-2中光栅图形的周期为202nm； 所述第一P-InP光栅掩埋层012-1和第二P-InP光栅掩埋层012-2的厚度独立地为300±9nm，Zn掺杂浓度独立地为1~2×1018cm-3； 所述第一P-InP联接层013-1和第二P-InP联接层013-2的厚度为300±9nm； 所述第一P-InGaAsP势垒渐变层014-1、第二P-InGaAsP势垒渐变层014-2、第一P-InGaAsP势垒渐变层015-1和第二P-InGaAsP势垒渐变层015-2的厚度独立地为50±1.5nm，从第一P-InGaAsP势垒渐变层014-1和第二P-InGaAsP势垒渐变层015-1的方向上或从第一P-InGaAsP势垒渐变层014-2和第二P-InGaAsP势垒渐变层015-2的方向上，Zn掺杂浓度从1×1018cm-3递增到5×1019cm-3； 所述第一P-InGaAs欧姆接触层016-1和第二P-InGaAs欧姆接触层016-2的厚度独立地为200±6nm，Zn掺杂浓度独立地为3~5×1019cm-3。

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