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龙图腾网获悉乐清市雁荡山电气研究院;西安交通大学申请的专利一种SiC MOSFET栅氧化层可靠性测试装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120539561B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510907556.7，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种SiC MOSFET栅氧化层可靠性测试装置及方法是由张岩;薛少鹏;高远;吕春林;刘进军;贾要勤设计研发完成，并于2025-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC MOSFET栅氧化层可靠性测试装置及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及功率半导体的测试及应用技术领域，具体涉及一种SiCMOSFET栅氧化层可靠性测试装置及方法，装置通过设置高压直流电压电源，辅助直流电压源，信号发生装置，半桥测试电路，栅极驱动电路，负载电感，负载电阻以及测量设备，能够显著缩短器件可靠性评估所需的应力时间，同时能够更准确的描述不同漏源电压应力下的器件阈值电压漂移特征，相比传统的静态偏置及栅极开关应力试验方法，有效引入了动态漏源电压、电流的影响，提升了模型测试结果的准确性，对于SiCMOSFET栅氧化层可靠性评估有一定的应用价值。

本发明授权一种SiC MOSFET栅氧化层可靠性测试装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种SiCMOSFET栅氧化层可靠性测试装置，其特征在于，包括： 高压直流电压电源，辅助直流电压源，信号发生装置，半桥测试电路，栅极驱动电路，负载电感，负载电阻以及测量设备； 所述高压直流电压电源用于向半桥测试电路提供适配SiCMOSFET高压工作特性的指定的直流电压，所述辅助直流电压源用于向栅极驱动电路供电； 所述半桥测试电路包括母线电容，上开关管，下开关管，以及用于配置电路工作模式的开关，下开关管为被测SiCMOSFET且工作在硬开关状态； 所述栅极驱动电路用于对上开关管和下开关管提供最大值和最小值可调的栅源电压，所述栅源电压用于模拟被测器件实际工作的栅极应力； 所述负载电感用于限制上开关管和下开关管中的动态漏源电流大小，负载电阻作为可选负载，通过开关接入电路中，与负载电感配合精准调控被测器件的动态漏源电流，以引入动态漏源电压、电流的影响； 所述信号发生装置用于为被测器件输入模拟SiCMOSFET在实际变换器中工作的测试信号，所述测量设备用于测量动态漏源电压、电流应力下被测器件的阈值电压变化。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人乐清市雁荡山电气研究院;西安交通大学，其通讯地址为：325000 浙江省温州市乐清市经济开发区中心大道268号人才公园内；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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