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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学(威海)申请的专利在线测量电路、基于漏源电压浪涌特性的SiC MOSFET栅氧层退化监测方法及监测系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120405367B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510724383.5，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权在线测量电路、基于漏源电压浪涌特性的SiC MOSFET栅氧层退化监测方法及监测系统是由王大方;王天洋;杨国淏;李琪;王九霄;胡钦杰设计研发完成，并于2025-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本在线测量电路、基于漏源电压浪涌特性的SiC MOSFET栅氧层退化监测方法及监测系统在说明书摘要公布了：本申请提供在线测量电路、基于漏源电压浪涌特性的SiCMOSFET栅氧层退化监测方法及监测系统，所述在线测量电路包括波形提取电路，用于提取被测SiCMOSFET的开尔文源极与功率源极之间的电压波形信号并进行分压输出；包络提取电路，用于提取波形提取电路输出的电压波形信号的包络线并进行输出，所述包络线的峰值用于表征被测SiCMOSFET的栅氧层退化程度。本申请的技术方案通过对SiCMOSFET的漏源电压中叠加的浪涌信号幅度变化情况进行在线测量，能够在SiCMOSFET工作过程中对其SiCMOSFET的栅氧层退化程度进行精确监测。

本发明授权在线测量电路、基于漏源电压浪涌特性的SiC MOSFET栅氧层退化监测方法及监测系统在权利要求书中公布了：1.一种在线测量电路，用于在SiC逆变器的工作过程中对所述SiC逆变器中的被测SiCMOSFET进行在线测量，其特征在于，包括： 波形提取电路，用于提取被测SiCMOSFET的开尔文源极与功率源极之间的电压波形信号并进行分压输出； 包络提取电路，用于提取所述波形提取电路输出的电压波形信号的包络线并进行输出，所述包络线的峰值用于表征被测SiCMOSFET的栅氧层退化程度； 所述包络提取电路包括第一运算放大器、第二运算放大器、第一开关器件、第二开关器件、第一电容、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、正电源及负电源； 所述第一运算放大器的正输入端通过第四电阻与所述波形提取电路的输出端电连接，负输入端通过第五电阻与所述负电源电连接，输出端与所述第一开关器件的控制端以及所述第二开关器件的控制端电连接； 所述第一开关器件的输入端通过第六电阻与所述正电源电连接，输出端与所述第一运算放大器的负输入端电连接； 所述第二开关器件的输入端通过第七电阻与所述正电源电连接，输出端与所述第二运算放大器的正输入端电连接； 所述第二运算放大器的负输入端与接地端电连接，输出端用于输出所述包络线并通过第八电阻与接地端电连接； 所述第一电容的两端，以及所述第三电阻的两端均连接于所述第二运算放大器的正输入端与接地端之间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人哈尔滨工业大学(威海)，其通讯地址为：264200 山东省威海市文化西路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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