北京北方华创微电子装备有限公司李佳阳获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076365B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510220588.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及其制造方法是由李佳阳;孙新;杨光;蒋中伟;吴黎;赵晋荣设计研发完成，并于2025-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体器件的制造方法，在衬底表面上形成至少一个鳍形结构，鳍形结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层；从沿预设水平方向的至少一侧对鳍形结构下方的衬底进行刻蚀，以在鳍形结构的下方形成凹槽；在凹槽中填充形成绝缘部；去除第一半导体层和第二半导体层中的一者；在第一半导体层和第二半导体层中的另一者周围形成栅极结构。本公开实施例还提供了一种半导体器件。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其中，包括： 在衬底表面上形成至少一个鳍形结构，所述鳍形结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层； 从沿预设水平方向的至少一侧对所述鳍形结构下方的所述衬底进行刻蚀，以在所述鳍形结构的下方形成凹槽； 在所述凹槽中填充形成绝缘部； 去除所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一者； 在所述第一半导体层和所述第二半导体层中的另一者周围形成栅极结构； 其中，所述绝缘部的上表面与所述栅极结构的至少部分下表面相接触，且所述第一半导体层和所述第二半导体层中的所述另一者朝向所述衬底表面的投影与所述绝缘部的上表面存在交叠。
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