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龙图腾网获悉瑶芯微(上海)电子科技股份有限公司申请的专利一种沟槽型超结场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947154B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411970408.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种沟槽型超结场效应晶体管及其制备方法是由尹小宝;王宝剑设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽型超结场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种沟槽型超结场效应晶体管及其制备方法，通过外延填充的方法于第一沟槽中形成导电柱，降低了填充形成的导电柱的深宽比，且使得形成的导电柱具有较小的节距尺寸，然后通过多层外延工艺于第二外延层上形成具有多个子外延层的第三外延层，且边外延边刻蚀以在多个子外延层中形成阱区，从而能够大幅度减少超结场效应晶体管形成过程中的热预算和光刻成本，使得第三外延层中的子外延层中形成的阱区也具有较小的节距尺寸，上述工艺的结合使得形成的P型导电柱较窄而P型导电柱所在的N型外延层较宽，从而使得器件耗尽展开时由P型阱区和P型导电柱以及N型外延层形成的体二极管区域的开关速度变慢，从而降低突变电容，改善了器件的EMI性能。

本发明授权一种沟槽型超结场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型超结场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供具有第一导电类型的半导体衬底，于所述半导体衬底的表面自下而上依次形成第一导电类型的第一外延层、第一导电类型的第二外延层和第一硬掩模层； 图形化所述第一硬掩模层，并刻蚀所述第一外延层和所述第二外延层，于所述第一外延层和所述第二外延层中形成若干个第一沟槽； 于所述第一沟槽中填充具有第二导电类型的导电柱，去除所述第一硬掩模层，所述导电柱的宽度为2~5μm； 于所述第二外延层上形成第一导电类型的第三外延层，所述第三外延层包括依次形成的多个子外延层，所述子外延层的层数为3~6层，并于所述第三外延层的表面进行预设深度的离子注入以形成第二导电类型的阱区，每层所述子外延层中形成的阱区具有相同的宽度，且所述阱区的宽度大于所述导电柱宽度的20%~80%； 于所述第三外延层上形成第二导电类型的体区并在所述体区上形成第二硬掩模层； 图形化所述第二硬掩模层，刻蚀所述体区和所述第三外延层，于所述体区和所述第三外延层中形成若干个第二沟槽，并去除所述第二硬掩模层； 于所述第二沟槽的内壁形成第一层间介质层，并在所述第一层间介质层上形成填充所述第二沟槽的第一多晶硅，其中，所述第一多晶硅、所述第一层间介质层和所述体区具有齐平的表面； 于所述体区上形成具有第一导电类型的源区和第二层间介质层，并形成贯穿所述第二层间介质层且底面显露所述体区的第一电极接触孔，以及显露所述第一多晶硅的第二电极接触孔； 于所述第一电极接触孔和所述第二电极接触孔填充金属形成正面金属层。

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