中国科学院半导体研究所宋浩获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利单片集成式半导体主振荡功率放大器激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119905892B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411725613.1，技术领域涉及：H01S5/026；该发明授权单片集成式半导体主振荡功率放大器激光器是由宋浩;张瑞康;陆丹;赵玲娟设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本单片集成式半导体主振荡功率放大器激光器在说明书摘要公布了：本发明提供一种单片集成式半导体主振荡功率放大器激光器，涉及半导体光电子技术领域，该激光器包括：采用标准半导体同一有源区工艺集成在同一衬底上的主振荡区和功率放大器区；功率放大器区采用有源1×1多模干涉耦合器结构；该激光器采用单片集成式结构。本发明可以改善光斑扁平问题，从而有利于与光纤或波导器件的耦合，简化系统耦合过程，易于大规模生产应用。
本发明授权单片集成式半导体主振荡功率放大器激光器在权利要求书中公布了：1.一种单片集成式半导体主振荡功率放大器激光器，其特征在于，包括：采用标准半导体同一有源区工艺集成在同一衬底上的主振荡区和功率放大器区；所述功率放大器区采用有源1×1多模干涉耦合器结构；所述激光器采用单片集成式结构；所述有源1×1多模干涉耦合器结构从下到上依次包括：金属负电极层、N-InP衬底层、N-InPbuffer缓冲层、三对N-InP和N-InGaAsP交替结构的稀释波导层、N-AlGaInAs下限制层、多量子阱有源层、P-AlGaInAs上限制层、P-InP层、P-InGaAsP刻蚀停止层、P-InP盖层、P-InGaAs欧姆接触层以及金属正电极层；所述稀释波导层中N-InP和N-InGaAsP沿着竖直方向交替排列。
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