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龙图腾网获悉深圳市云在上半导体材料有限公司;湖北云在上半导体有限公司申请的专利半导体制造过程中废气处理系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119778733B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510103502.5，技术领域涉及：F23G7/06；该发明授权半导体制造过程中废气处理系统是由张桂华;刘畅设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体制造过程中废气处理系统在说明书摘要公布了：本发明提供了半导体制造过程中废气处理系统，包括反应室；还包括：喷淋水洗机构，喷淋水洗机构包围至反应室的外周面上，喷淋水洗机构内设置有螺旋型的喷淋通道以及冷却腔，喷淋通道用于半导体废气的流通，喷淋通道底端与反应室底端连通；冷却腔位于喷淋通道和反应室外壁之间；接水池，接水池设置在喷淋通道的底部，接水池连接有高压水泵；加热器，加热器设置在反应室内，加热器连接有驱动机构，加热器的下方设置有与反应室底端连通的出口管，出口管的一侧设置有侧开口，侧开口的一侧设置有与高压水泵连接的冲洗组件。通过喷淋水洗机构包围反应室，其可为废气提供喷淋水洗外，还可作为反应室的隔热结构，同时使整体结构紧促，降低占地面积。

本发明授权半导体制造过程中废气处理系统在权利要求书中公布了：1.半导体制造过程中废气处理系统，包括反应室14；其特征在于，还包括： 喷淋水洗机构，所述喷淋水洗机构包围至所述反应室14的外周面上，且喷淋水洗机构内设置有螺旋型的喷淋通道17以及冷却腔16，所述喷淋通道17用于半导体废气的流通，且喷淋通道17底端与反应室14底端连通；所述冷却腔16位于喷淋通道17和反应室14外壁之间； 接水池6，所述接水池6设置在所述喷淋通道17的底部，且接水池6连接有可将池内水抽入冷却腔16中的高压水泵22； 加热器18，所述加热器18设置在反应室14内，所述加热器18连接有驱动机构5，所述驱动机构5可驱动加热器18竖向移动以及旋转，所述加热器18的下方设置有与反应室14底端连通的出口管20，且出口管20设置有可自动解除定位的封套21，所述出口管20的一侧设置有侧开口2001，所述侧开口2001的一侧设置有与高压水泵22连接的冲洗组件26； 过滤机构12，所述过滤机构12连接有排气管9，且排气管9与反应室14顶端连通； 所述反应室14的顶端和底端分别固定安装有上封盖3以及下封盖4；所述驱动机构5安装至所述上封盖3上，所述驱动机构5包括螺杆501、载架502、固定螺母503、棱柱504以及电机505，所述上封盖3的中部固定安装有固定螺母503，所述螺杆501与固定螺母503螺纹连接，且螺杆501的底端与加热器18的顶端固接，所述螺杆501的轴心处开设有顶端开口的配合孔，所述配合孔与棱柱504配合连接，所述棱柱504的顶端与电机505的输出轴端固接，所述载架502固定安装至上封盖3的顶面，所述电机505与载架502顶部固接；所述喷淋水洗机构包括外圆筒1、内圆筒13以及喷淋管15；所述外圆筒1、内圆筒13以及反应室14同轴设置，所述外圆筒1顶端和内圆筒13顶端均与上封盖3底面固接，所述外圆筒1底端和内圆筒13底端均与下封盖4顶面固接，所述喷淋管15设置在外圆筒1和内圆筒13之间，所述内圆筒13与反应室14的外壁之间围成冷却腔16。

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