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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利全光谱LED外延片及其制备方法、LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767889B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411839568.2，技术领域涉及：H10H20/813；该发明授权全光谱LED外延片及其制备方法、LED芯片是由高虹;郑文杰;舒俊;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本全光谱LED外延片及其制备方法、LED芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及光电技术领域，公开了一种全光谱LED外延片及其制备方法、LED芯片，外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型GaN层、多光谱发光阱层、P型GaN层；所述多光谱发光阱层包括依次层叠的第一发光阱层、第二发光阱层和第三发光阱层，所述第一发光阱层包括若干组依次层叠的InxGa1‑xN量子阱层、AlaGa1‑aN界面层和第一GaN量子垒层，所述第二发光阱层包括若干组依次层叠的InyGa1‑yN量子阱层、AlbGa1‑bN界面层和第二GaN量子垒层，所述第三发光阱层包括若干组依次层叠的InzGa1‑zN量子阱层、AlcGa1‑cN界面层和第三GaN量子垒层。本发明提供的全光谱LED外延片能够提升全光谱芯片发光效率和显色指数。

本发明授权全光谱LED外延片及其制备方法、LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种全光谱LED外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型GaN层、多光谱发光阱层、P型GaN层； 所述多光谱发光阱层包括依次层叠的第一发光阱层、第二发光阱层和第三发光阱层，所述第一发光阱层包括若干组依次层叠的InxGa1-xN量子阱层、AlaGa1-aN界面层和第一GaN量子垒层，所述第二发光阱层包括若干组依次层叠的InyGa1-yN量子阱层、AlbGa1-bN界面层和第二GaN量子垒层，所述第三发光阱层包括若干组依次层叠的InzGa1-zN量子阱层、AlcGa1-cN界面层和第三GaN量子垒层，所述第一发光阱层的发光波长＞所述第二发光阱层的发光波长＞所述第三发光阱层的发光波长； 其中，a＞b＞c，0.15≤a≤0.25,0.1≤b≤0.2,0.05≤c≤0.15； 所述第一发光阱层包括L1组依次层叠的InxGa1-xN量子阱层、AlaGa1-aN界面层和第一GaN量子垒层，所述第二发光阱层包括L2组依次层叠的InyGa1-yN量子阱层、AlbGa1-bN界面层和第二GaN量子垒层，所述第三发光阱层包括L3组依次层叠的InzGa1-zN量子阱层、AlcGa1-cN界面层和第三GaN量子垒层，其中，10＞L3＞L2＞L1＞1。

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