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龙图腾网获悉中山智隆新材料科技有限公司申请的专利一种适用于RPD的IO靶材及其制备方法和应用、异质结电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119707451B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411704627.5，技术领域涉及：C04B35/01；该发明授权一种适用于RPD的IO靶材及其制备方法和应用、异质结电池是由陈露;葛春桥;梁齐莹;高钰航;罗泽宇设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于RPD的IO靶材及其制备方法和应用、异质结电池在说明书摘要公布了：本发明属于光伏电池技术领域，提供了一种适用于RPD的IO靶材及其制备方法和应用、异质结电池。本发明先取氧化铟粉体进行第一研磨，然后添加第一粘结剂，制得第一混合粉体；经过第一成型和静压，制得第一靶材素坯，再进行脱脂和在1400‑1500℃预烧结8‑10h，得到预烧IO坯体，粉碎后，再次进行研磨，添加第二粘结剂，干燥后得到第二混合粉体，再次成型和静压后，得到第二靶材素坯，最后进行脱脂和分阶段的真空热压烧结，制得IO靶材。本发明所制得的纯IO靶材，相对密度在60％左右，可直接用于RPD镀膜，沉积的TCO薄膜，载流子浓度低，迁移率高，透光率高，用于异质结电池器件上，有助于提高电池的光电转化效率。

本发明授权一种适用于RPD的IO靶材及其制备方法和应用、异质结电池在权利要求书中公布了：1.一种IO靶材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1取氧化铟粉体； 2将所述氧化铟粉体进行第一研磨，然后添加第一粘结剂，过滤，再干燥，制得第一混合粉体； 3将所述第一混合粉体进行第一成型，制得第一靶材素坯； 4将所述第一靶材素胚进行第一脱脂，然后进行预烧结，制得所述预烧IO坯体； 5将所述预烧IO坯体破碎成粉末，然后进行第二研磨，再添加第二粘结剂，过滤，接着进行干燥，制得所述第二混合粉体； 6将所述第二混合粉体进行第二成型，制得所述第二靶材素坯； 7将所述第二靶材素胚进行第二脱脂，然后进行分阶段的真空热压烧结，制得所述IO靶材；所述分阶段的真空热压烧结的步骤包括： 先抽真空至-80~-100Pa，并以1-3℃min的升温速率升至900-1000℃，并保温7-9h，保温结束后，开始加压，压力为5-10Mpa，并以0.5-2℃min的升温速率升至1100-1300℃，保温时间为6-8h，保温结束后，以0.3-1℃min的升温速率升至1500-1550℃，保温时间为10-12h，保温结束后，以1-3℃min的速率降温至室温，并恢复至常压，制得所述IO靶材； 所述IO靶材中In2O3的质量占比为100％； 步骤4中，所述预烧结的温度为1400-1500℃，和或，所述预烧结的时间为8-10h； 步骤6中，所述第二成型的压力为280-320MPa。

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