长江存储科技有限责任公司吴筱然获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及其制造方法、存储器器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677145B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311189214.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构及其制造方法、存储器器件是由吴筱然;甘程设计研发完成，并于2023-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法、存储器器件在说明书摘要公布了：本申请实施方式提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器器件。该半导体结构包括：衬底；阱区，位于衬底中；阈值电压掺杂区，位于阱区上方；轻掺杂区，位于阈值电压掺杂区两侧；源极区和漏极区，分别位于轻掺杂区两侧；晕环区，位于源极区和漏极区分别与阈值电压掺杂区之间；以及栅结构，位于阈值电压掺杂区表面；其中，阈值电压掺杂区的导电类型与阱区的导电类型不同，轻掺杂区的掺杂浓度为8×1019～9×1019cm3，晕环区的掺杂浓度为5×1018～6×1018cm3。
本发明授权半导体结构及其制造方法、存储器器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 阱区，位于所述衬底中； 阈值电压掺杂区，位于所述阱区上方； 轻掺杂区，位于所述阈值电压掺杂区两侧； 源极区和漏极区，分别位于所述轻掺杂区两侧； 晕环区，位于所述源极区和所述漏极区分别与所述阈值电压掺杂区之间；以及 栅结构，位于所述阈值电压掺杂区表面； 其中，所述阈值电压掺杂区的导电类型与所述阱区的导电类型不同，所述轻掺杂区的掺杂浓度为8×1019～9×1019cm，所述晕环区的掺杂浓度为5×1018～6×1018cm
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