哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)宋清海获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)申请的专利一种全光偏振开关的制备方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119644585B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510027841.X,技术领域涉及:G02B27/00;该发明授权一种全光偏振开关的制备方法及系统是由宋清海;黄灿;赖方兴设计研发完成,并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种全光偏振开关的制备方法及系统在说明书摘要公布了:本申请提供一种全光偏振开关的制备方法及系统,所述方法包括:获取偏振开关的性能要求,所述性能要求为所述偏振开关对于各个类型的偏振光的透射、反射或者吸收的对应指标;根据预设参数构建初始仿真模型,所述初始仿真模型为本征手性共振硅基超构表面,由若干基本单元排列构成,每个所述基本单元包括一非晶硅薄膜和位于非晶硅薄膜上的两个硅椭圆柱体;根据所述性能要求,通过有限元法调整所述初始仿真模型的预设参数,直至所述初始仿真模型满足所述性能要求,获得偏振开关仿真模型;根据所述偏振开关仿真模型,使用微纳制备工艺制备获得所述全光偏振开关,提高偏振开关的波段适用范围和响应速度。
本发明授权一种全光偏振开关的制备方法及系统在权利要求书中公布了:1.一种全光偏振开关的制备方法,其特征在于,包括: 获取偏振开关的性能要求,所述性能要求为所述偏振开关对于各个类型的偏振光的透射、反射或者吸收的对应指标; 根据预设参数构建初始仿真模型,所述初始仿真模型为本征手性共振硅基超构表面,由若干基本单元排列构成,每个所述基本单元包括一非晶硅薄膜和位于非晶硅薄膜上的两个硅椭圆柱体;所述预设参数包括有限元法计算周期、硅椭圆柱体的椭圆长轴和椭圆短轴、基本单元中两个硅椭圆柱体的几何中心距离、硅椭圆柱体的高度、硅椭圆柱体的旋转角度以及倾斜角度; 所述根据预设参数构建初始仿真模型,包括:将各个所述基本单元中的两个硅椭圆柱体基于预设的几何中心距离以直立形态置于对应的所述非晶硅薄膜上,且各个硅椭圆柱体的椭圆长轴相互平行;对每个所述基本单元建立xyz三维直角坐标系,其中x轴和y轴所构建的平面与所述非晶硅薄膜所在平面平行,且所述y轴与所述椭圆长轴相互平行;基于所述椭圆长轴,将各个所述基本单元中的两个硅椭圆柱体以相反的方向旋转预设旋转角度;将各个所述基本单元中的两个硅椭圆柱体在x轴方向上倾斜预设倾斜角度;在x方向和y方向设置各个所述基本单元的周期性边界条件;基于预设折射率在z方向设置两匹配层,其中,一匹配层位于所述非晶硅薄膜下方,另一匹配层位于所述两个硅椭圆柱体上方;将各个所述基本单元沿x轴方向排列,构建获得所述初始仿真模型; 根据所述性能要求,通过有限元法调整所述初始仿真模型的预设参数,直至所述初始仿真模型满足所述性能要求,获得偏振开关仿真模型; 根据所述偏振开关仿真模型,使用微纳制备工艺制备获得所述全光偏振开关。
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