中山智隆新材料科技有限公司高钰航获国家专利权
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龙图腾网获悉中山智隆新材料科技有限公司申请的专利一种钨掺杂氧化铟蒸镀靶材及其制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119462078B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411401367.4,技术领域涉及:C04B35/01;该发明授权一种钨掺杂氧化铟蒸镀靶材及其制备方法和应用是由高钰航;陈露;葛春桥设计研发完成,并于2024-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种钨掺杂氧化铟蒸镀靶材及其制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明属于金属氧化物靶材技术领域,具体公开了一种钨掺杂氧化铟蒸镀靶材及其制备方法和应用。本发明的钨掺杂氧化铟靶材的制备原料包括氧化铟和氧化钨;其中,所述氧化铟为微米级氧化铟粉末,所述氧化铟粉末的D50为10~200μm;所述氧化钨为纳米级氧化钨粉末,所述氧化钨粉末的D50为10~100nm。本发明的钨掺杂氧化铟靶材具有适合用于RPD工艺镀膜的相对密度,并且具有良好的电导性,使用本发明的IWO靶材进行RPD镀膜得到的氧化物薄膜具有高透光率性能,适合应用于制备光伏太阳能电池。本发明还提供该IWO靶材的制备方法和应用。
本发明授权一种钨掺杂氧化铟蒸镀靶材及其制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种钨掺杂氧化铟靶材的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: S1、按质量份数计将92~98份氧化铟和2~8份氧化钨分别分散于有机溶液中,混合分散液,紫外光照射,退火得到粉体;其中,所述氧化铟为微米级氧化铟粉末,所述氧化铟粉末的D50为10~200μm;所述氧化钨为纳米级氧化钨粉末,所述氧化钨粉末的D50为10~100nm;所述紫外光照射的参数为:波长100~400nm,强度30~150μWcm2,时间7~13h; S2、将所述粉体模压成型,烧结,得到IWO前驱体; S3、破碎所述IWO前驱体,过筛,研磨,喷雾造粒得到IWO粉末; S4、将所述IWO粉末模压成型,烧结,得到IWO靶材; 其中,所述的烧结为:在氧气烧结炉中,以1~3℃min的升温速率升温至600~650℃进行脱脂,保温时间为2~3h,再以0.5~2℃min的升温速率升温至850~900℃,保温3~4h,再以0.5~1℃min升至1050~1150℃,保温2~3h,冷却至室温。
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