南京大学余思远获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利基于铌酸锂单晶薄膜的勒夫波声子晶体谐振器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119448973B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411508522.2，技术领域涉及：H03H9/25；该发明授权基于铌酸锂单晶薄膜的勒夫波声子晶体谐振器是由余思远;贺奕涵;陈延峰设计研发完成，并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于铌酸锂单晶薄膜的勒夫波声子晶体谐振器在说明书摘要公布了：本发明涉及声表面波器件技术领域，公开了基于铌酸锂单晶薄膜的勒夫波声子晶体谐振器，包括：功能基底以及位于功能基底上表面的压电薄膜层，所述压电薄膜层上表面中间区域设置叉指换能器，所述叉指换能器的两侧设置声子晶体；所述压电薄膜层为铌酸锂单晶薄膜，所述铌酸锂单晶薄膜的切向为X切中的任意一种，包括X切，‑15°~15°Y方向。本发明利用声子晶体替代传统声表面波谐振器中的反射栅，通过结合功能基底与铌酸锂单晶薄膜构建的材料体系实现更高的声速和更低的纵向损耗，具有结构简单、体积较小、易于制备与集成的特点，相较于同尺寸的布拉格反射栅谐振器具有更高的Q值。
本发明授权基于铌酸锂单晶薄膜的勒夫波声子晶体谐振器在权利要求书中公布了：1.一种基于铌酸锂单晶薄膜的勒夫波声子晶体谐振器，其特征在于，所述勒夫波声子晶体谐振器包括功能基底以及位于功能基底上表面的压电薄膜层，所述压电薄膜层上表面中间区域设置叉指换能器，所述叉指换能器的两侧设置声子晶体； 所述压电薄膜层为铌酸锂单晶薄膜，所述铌酸锂单晶薄膜的切向为X切中的任意一种，包括X切，-15°~15°Y方向； 所述声子晶体由所述铌酸锂单晶薄膜表面刻蚀周期性或非周期性的孔或槽结构形成，或者由在所述铌酸锂单晶薄膜表面生长周期性或非周期性的柱结构形成；所述孔或槽结构以及所述柱结构的截面形状为圆形、椭圆形、三角形、多边形或其它不规则形状中的一种或多种组合；所述声子晶体的晶格为三角晶格、四方晶格、蜂窝晶格、笼目晶格或其它具有对称性的晶格中的一种，晶格周期范围为0-1000微米； 所述叉指换能器与声子晶体之间的间距大于12倍的电极周期。
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