西安电子科技大学武溟暄获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于IDW-Kriging的自适应样本增强方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119442880B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411512895.7,技术领域涉及:G06F30/27;该发明授权一种基于IDW-Kriging的自适应样本增强方法是由武溟暄;葛晓波;张志华;邵晓东设计研发完成,并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于IDW-Kriging的自适应样本增强方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于IDW‑Kriging的自适应样本增强方法,包括:配置初始参数;对原始样本集中的样本数据进行预处理以降低样本数据的变化程度,获得预处理后的样本集;根据预处理后的样本数据分别获得初始IDW插值曲线和初始Kriging插值曲线;对比初始IDW插值曲线和初始Kriging插值曲线,自动查找大于插值阈值的潜在极值点;在潜在极值点处重新进行仿真,获得新的样本数据补充样本集,对新的样本数据进行预处理;根据更新后的样本集重新获得IDW插值曲线和Kriging插值曲线;判断是否达到最大迭代次数,若否,则执行上述步骤,若是,则保存Kriging插值曲线作为增强后的样本集合。本发明可以自适应找到潜在极值点,实现样本自适应构建,无需根据经验判断来调整数值模拟密度。
本发明授权一种基于IDW-Kriging的自适应样本增强方法在权利要求书中公布了:1.一种基于IDW-Kriging的自适应样本增强方法,其特征在于,包括: S1:配置初始参数,所述初始参数包括克里金参数、IDW插值平滑参数、采样间隔、IDW插值方法和Kriging插值方法的差值阈值和最大迭代次数; S2:对原始样本集中的样本数据进行预处理以降低样本数据的变化程度,获得预处理后的样本集; S3:根据所述预处理后的样本集分别获得初始IDW插值曲线和初始Kriging插值曲线; S4:对比所述初始IDW插值曲线和所述初始Kriging插值曲线,获得大于所述差值阈值的潜在极值点; S5:在所述潜在极值点处重新进行仿真,获得新的样本数据以补充样本集,并对所述新的样本数据进行预处理,获得更新后的样本集; S6:根据所述更新后的样本集重新获得IDW插值曲线和Kriging插值曲线; S7:判断是否达到最大迭代次数,若否,则执行步骤S4,若是,则保存所述Kriging插值曲线作为增强后的样本集合; 所述S2包括: S2.1:根据实际测量或仿真的方法获得多个原始样本数据,组成原始样本集,所述原始样本集中的原始样本数据包括角域样本点或频域样本点,其中,所述角域样本点的输入数据为入射角度,输出数据为RCS值,所述频域样本点的输入数据为频率,输出数据为RCS值; S2.2:对所述原始样本数据中的角域样本点或频域样本点的RCS值进行数据平移,定义新的RCS值,使得数据平移后每个角域样本点或频域样本点的RCS值均处于区间,其中,为所述原始样本数据中的角域样本点或频域样本点的RCS值; S2.3:使用log函数对进行数据转换,转换公式为: , 其中,表示数据转换后每个角域样本点或频域样本点的RCS值,即预处理后的RCS值。
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