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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种无运放高精度带隙基准电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119356461B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411635361.3，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种无运放高精度带隙基准电路是由李毅超;谢瑞;李婷婷;李现坤设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种无运放高精度带隙基准电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种无运放高精度带隙基准电路，属于模拟电路领域，能够产生高精度基准电压，并检测基准电压启动完成输出使能信号控制模拟电路的内部启动逻辑，完成电路启动过程的时序控制。所述无运放高精度带隙基准电路包括启动电路、基准核心电路、基准检测电路；其中，所述启动电路为带隙基准提供启动电流，使所述基准核心电路开始工作；所述基准核心电路产生高精度基准输出电压；当带隙基准正常启动完成，所述基准检测电路输出高信号使能后续模块。本发明能够拥有更低的起始工作电压；无运放钳位，不存在运放引入的失调与需求运放高增益；电路结构简单可以实现整个带隙基准的低功耗设计。

本发明授权一种无运放高精度带隙基准电路在权利要求书中公布了：1.一种无运放高精度带隙基准电路，其特征在于，产生高精度基准电压，并检测基准电压启动完成输出使能信号控制模拟电路的内部启动逻辑，完成电路启动过程的时序控制； 所述无运放高精度带隙基准电路包括启动电路、基准核心电路、基准检测电路；其中， 所述启动电路为带隙基准提供启动电流，使所述基准核心电路开始工作； 所述基准核心电路产生高精度基准输出电压； 当带隙基准正常启动完成，所述基准检测电路输出高信号使能后续模块； 所述启动电路包括第一电流源、第一N型MOS管和第一NPN型三极管；第一电流源的尾端接第一N型MOS管的漏极，第一N型MOS管的栅极与自身漏极短接，第一N型MOS管的源极接第一NPN型三极管的集电极，第一NPN型三极管的基极与自身集电极短接，第一NPN型三极管的发射极接地； 所述基准核心电路包括第二N型MOS管、第二NPN型三极管、第三N型MOS管、第三NPN型三极管、第一P型MOS管、第四NPN型三极管、第二P型MOS管、第三P型MOS管、第四N型MOS管、第五N型MOS管、第五NPN型三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻和电容； 第二N型MOS管的漏极同时接第一P型MOS管的栅极、第二P型MOS管的栅极、第二P型MOS管的漏极和第四N型MOS管的漏极，第二N型MOS管的源极同时接第三N型MOS管的源极、第一电阻的首端和第四电阻的首端；第一电阻的尾端同时接第二电阻的首端与第二NPN型三极管的基极；第二电阻的尾端同时接第三电阻的首端与第二NPN型三极管的集电极，第二NPN型三极管的发射极接地； 第三N型MOS管的漏极接电源，第三N型MOS管的源极同时接第四电阻的首端、第一电阻的首端和第二N型MOS管的源极；第四电阻的尾端同时接第五电阻的首端、电容的尾端、第四NPN型三极管的基极和基准检测电路；第五电阻的尾端接第三NPN型三极管的集电极；第三NPN型三极管的基极接第三电阻的尾端；第三NPN型三极管的发射极接第六电阻的首端；第六电阻的尾端接地； 第一P型MOS管的源极接电源，第一P型MOS管的漏极同时接第三N型MOS管的栅极、电容的首端、第四N型MOS管的栅极、第四NPN型三极管的集电极和第六N型MOS管的栅极；第四NPN型三极管的发射极接地； 第二P型MOS管的源极接电源，第二P型MOS管的栅极同时接第二P型MOS管的漏极、第三P型MOS管的栅极、第一P型MOS管的栅极和第四N型MOS管的漏极；第三P型MOS管的源极接电源，第三P型MOS管的漏极同时接第五N型MOS管的漏极和第五N型MOS管的栅极；第四N型MOS管的源极同时接第五N型MOS管的源极和第五NPN型三极管的集电极；第四NPN型三极管的发射极接地；第五NPN型三极管的发射极接地。

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