长江存储科技有限责任公司楚明获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法、半导体系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342821B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310891485.7，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权一种半导体器件及其制造方法、半导体系统是由楚明;罗兴安;张莉设计研发完成，并于2023-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法、半导体系统在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法、半导体系统。该制造方法包括：提供初始叠层结构，所述初始叠层结构包括多级台阶，每级台阶包括栅极牺牲层和层间绝缘层，每级台阶的台阶面暴露出所述栅极牺牲层表面；形成覆盖每级台阶的台阶面和侧壁的缓冲层；其中，所述缓冲层包括覆盖所述台阶的台阶面的第一子缓冲层和覆盖所述台阶的侧壁的第二子缓冲层；对所述缓冲层进行掺杂处理，使得至少部分所述第一子缓冲层形成掺杂第一子缓冲层；其中，所述第二子缓冲层对所述掺杂第一子缓冲层具有的刻蚀选择比大于所述第二子缓冲层对未掺杂第一子缓冲层具有的刻蚀选择比。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法、半导体系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括： 提供初始叠层结构，所述初始叠层结构包括多级台阶，每级台阶包括栅极牺牲层和层间绝缘层，每级台阶的台阶面暴露出所述栅极牺牲层表面； 形成覆盖每级台阶的台阶面和侧壁的缓冲层；其中，所述缓冲层包括覆盖所述台阶的台阶面的第一子缓冲层和覆盖所述台阶的侧壁的第二子缓冲层； 对所述缓冲层进行掺杂处理，使得至少部分所述第一子缓冲层形成掺杂第一子缓冲层；其中，所述第二子缓冲层对所述掺杂第一子缓冲层具有的刻蚀选择比大于所述第二子缓冲层对未掺杂第一子缓冲层具有的刻蚀选择比。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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