福建省晋华集成电路有限公司许培育获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119277783B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411425691.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制作方法是由许培育;吴建山;江丽贞设计研发完成，并于2024-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，包括衬底，多个第一下电极位于所述衬底上，所述多个第一下电极在互不垂直的第一方向、第二方向和第三方向上排列成阵列，各所述第一下电极的外轮廓为圆形，多个第二下电极位于所述衬底上，所述第二下电极的外轮廓包括一主体和三个突出部，其中所述主体为圆形，所述三个突出部为圆弧形，分别从所述主体的中心沿着第四方向、第五方向和第六方向向外延伸。
本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括: 衬底； 多个第一下电极位于所述衬底上，所述多个第一下电极在互不垂直的第一方向、第二方向和第三方向上排列成阵列，各所述第一下电极的外轮廓为圆形； 多个第二下电极位于所述衬底上，所述第二下电极的外轮廓包括一主体和三个突出部，其中所述主体为圆形，所述三个突出部为圆弧形，分别从所述主体的中心沿着第四方向、第五方向和第六方向向外延伸； 从上视图来看，所述衬底具有第一区域、第二区域，所述第二区域位于所述第一区域的边缘处并且环绕所述第一区域，所述第一下电极位于所述第一区域内，所述第二下电极位于所述第二区域内。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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