大连理工大学廖敏夫获国家专利权
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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种间隙非均匀的激光触发间隙串联多间隙真空开关获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119252705B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411274595.X,技术领域涉及:H01H33/664;该发明授权一种间隙非均匀的激光触发间隙串联多间隙真空开关是由廖敏夫;卢刚;向文俊;段雄英;张鸣;卜亮;于龙飞设计研发完成,并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种间隙非均匀的激光触发间隙串联多间隙真空开关在说明书摘要公布了:本发明属于高压大功率脉冲功率开关技术领域,具体涉及一种间隙非均匀的激光触发间隙串联多间隙真空开关。所述的开关包括激光触发间隙、自击穿间隙和激光触发系统;激光触发间隙的阴极导电杆端部为螺杆结构,多级自击穿真空间隙的阳极导电杆端部为螺母结构,两个间隙采用模块式螺纹结构连接;本发明采用激光触发真空间隙和多级自击穿真空间隙串联技术,自击穿间隙的各间隙长度采用逐级增大的设计方式,有效缩短前几级自击穿间隙的导通时间,提高开关的导通性能;通过在各间隙两端并联高压无感电阻耦合电阻调控自击穿间隙间的分压,使得级数越靠前的真空间隙分压越大,击穿时间越短,进一步加快前真空开关的导通。
本发明授权一种间隙非均匀的激光触发间隙串联多间隙真空开关在权利要求书中公布了:1.一种间隙非均匀的激光触发间隙串联多间隙真空开关,其特征在于,包括激光触发间隙、多级自击穿间隙和激光触发系统; 激光触发间隙的阴极导电杆5端部为螺杆结构,多级自击穿间隙的阳极导电杆11端部为螺母结构,两个间隙采用模块式螺纹结构连接; 所述的激光触发间隙包括带通光孔的阳极导电杆1、上端盖2、上绝缘外壳3、下端盖4、阴极导电杆5、带通光孔的阳极6、带凹槽的阴极7、屏蔽罩9、靶材8和通光镜片10; 所述的多级自击穿间隙包括阳极导电杆11、上端盖12、下绝缘外壳13、下端盖14、阴极导电杆15、屏蔽罩18、支撑绝缘子17和环形自击穿电极16; 所述的多级自击穿间隙由阳极导电杆11、上端盖12、下绝缘外壳13、下端盖14、阴极导电杆15组成具有真空度的真空腔体; 所述的多级自击穿间隙的屏蔽罩18固定在下绝缘外壳13上;阳极导电杆11、支撑绝缘子17、环形自击穿电极16和阴极导电杆15的轴线位于同一直线上; 所述串联的多个环形自击穿电极16和支撑绝缘子17固定于屏蔽罩18内部; 所述的支撑绝缘子17为上部由圆柱状凸起,底部有圆柱状凹槽的带伞裙的柱状物,最顶部的支撑绝缘子与阳极导电杆配合连接,支撑绝缘子长度从第一级到最后一级按照一定比例逐级增加,各支撑绝缘子之间相互配合,将多个环形自击穿电极16的内环分别夹在中间; 所述的多级自击穿阴极导电杆15的底面带有配合支撑绝缘子17的凸起,其上端凸起经最后一级环形自击穿电极16与支撑绝缘子17底部的凹槽连接,下端穿过自击穿下端盖14密封固定; 所述的环形自击穿电极16的中间空心圆直径与支撑绝缘子17上部凸起圆柱的直径相等,电极内环薄片厚度小于外环并与之一体连接,外环部分为主放电电极,串联间隙导通后,电流通过外环部分流通,改变外环部分结构可改变通流时间隙内磁场的大小和方向,第一级环形自击穿电极16的内环夹在阳极导电杆11和支撑绝缘子17之间,串联形成多级自击穿间隙。
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