深圳市美浦森半导体有限公司何昌获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市美浦森半导体有限公司申请的专利一种沟槽MOS的源区掺杂的监测装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092425B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411201721.9，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权一种沟槽MOS的源区掺杂的监测装置及方法是由何昌;张光亚;杨勇;朱勇华设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沟槽MOS的源区掺杂的监测装置及方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种沟槽MOS的源区掺杂的监测装置及方法，在第一层内设计两个相同的构件，其中两个构件中存在一个不同点，其不同点在于源区与接触孔的连接关系，使得其一构件的总电阻R1由其源区的第一扩散电阻和其体区的第二扩散电阻并联所得到的，也使得其二构件的总电阻R2等同其体区的第二扩散电阻，通过预置算法对总电阻R1与总电阻R2进行计算，得到计算值，并将该计算值比与设计值相比，以快速获取监测沟槽MOS的源区掺杂的偏差情况，无需对芯片进行破坏性的解剖测试。
本发明授权一种沟槽MOS的源区掺杂的监测装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽MOS的源区掺杂的监测装置，其特征在于，包括： 两个构件，所述构件包括： 第一层100，其包括依次层叠的衬底101、体区102以及源区103； 第二层200，铺设于所述第一层100上，所述第二层200上设有多个接触孔201，所述接触孔201内填充有金属电极202； 沟槽300，其依次穿入所述源区103和所述体区102内，以在所述源区103和所述体区102内分别围绕形成第一扩散电阻和第二扩散电阻，所述沟槽300内填充有第一物质301和第二物质302； 多个所述接触孔201，分别穿入所述体区102内； 其中，两个所述构件中的所述源区103的结构不同，其一所述构件的所述源区103经多个所述接触孔201接通，使得其一所述构件中的所述第一扩散电阻和所述第二扩散电阻相并联以得到总电阻R1，其二所述构件的所述源区103不与多个所述接触孔201连接，使得其二所述构件中的所述第二扩散电阻作为总电阻R2。
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