北京大学吴恒获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利半导体器件、制备方法、存储器及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118900556B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410984338.9，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权半导体器件、制备方法、存储器及电子设备是由吴恒;卢浩然;彭莞越;王润声;黄如设计研发完成，并于2024-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件、制备方法、存储器及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件、制备方法、存储器及电子设备。该半导体器件包括：沿第一方向依次堆叠的第一半导体结构、第一隔离层和第二半导体结构；其中，第一方向是与第一隔离层垂直的方向；第一半导体结构包括至少一个第一标准单元，每一个第一标准单元包括两个子单元，每一个子单元包括两个第一晶体管；第二半导体结构包括至少一个第二标准单元，每一个第二标准单元包括两个第二晶体管；电源轨，位于每一个子单元的两个第一晶体管之间，且电源轨与第一晶体管的第一源漏结构连接；导电通道，位于第二半导体结构内，且导电通道的第一端与第二半导体结构内的供电金属结构连接，导电通道的第二端沿第一方向延伸，并穿过第一隔离层与电源轨连接。
本发明授权半导体器件、制备方法、存储器及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 沿第一方向依次堆叠的第一半导体结构、第一隔离层和第二半导体结构；其中，所述第一方向是与所述第一隔离层垂直的方向；所述第一半导体结构包括至少一个第一标准单元，每一个所述第一标准单元包括两个子单元，每一个所述子单元包括两个第一晶体管；所述第二半导体结构包括至少一个第二标准单元，每一个所述第二标准单元包括两个第二晶体管； 电源轨，位于每一个所述子单元的所述两个第一晶体管之间，且所述电源轨与所述第一晶体管的第一源漏结构连接； 导电通道，位于所述第二半导体结构内，且所述导电通道的第一端与所述第二半导体结构内的供电金属结构连接，所述导电通道的第二端沿所述第一方向延伸，并穿过所述第一隔离层与所述电源轨连接。
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