中芯国际集成电路制造(上海)有限公司柏耸获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利套刻精度的检测方法及其检测结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118795735B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310390612.5，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权套刻精度的检测方法及其检测结构是由柏耸;张高颖;何弦;蔡哲炜;王晓林;徐爱群;朱占魁设计研发完成，并于2023-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本套刻精度的检测方法及其检测结构在说明书摘要公布了：一种套刻精度的检测方法及其检测结构，其中检测方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一膜层，第一膜层内具有若干组第一测试部；在第一膜层上形成第二膜层，第二膜层内具有若干组第二测试部，一组第一测试部和对应的一组第二测试部构成一组测试组，不同的测试组之间的设计套刻偏差值不同；采用第一光学信号对各测试组进行检测，第一光学信号转变为第二光学信号；根据转变为第二光学信号对应的测试组的设计套刻偏差值，获取实际套刻偏差值。在此检测过程中利用的是客观的物理表征特性，降低了外部因素造成的影响，提升了套刻精度的准确性。另外，由于光学检测具有较强的穿透性，在形成所述第二膜层之后即可进行检测，有效缩短的检测周期。
本发明授权套刻精度的检测方法及其检测结构在权利要求书中公布了：1.一种套刻精度的检测方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成第一膜层，所述第一膜层内具有若干组第一测试部； 在所述第一膜层上形成第二膜层，所述第二膜层内具有若干组分别与第一测试部相对应的第二测试部，一组所述第一测试部和对应的一组所述第二测试部构成一组测试组，不同的所述测试组之间具有不同的设计套刻偏差值； 采用第一光学信号，对每组所述测试组进行检测，且当某一所述测试组中所述第一测试部和所述第二测试部在朝向所述衬底方向上出现投影重叠时，所述第一光学信号转变为第二光学信号； 获取由第一光学信号转变为所述第二光学信号对应的所述测试组； 根据转变为所述第二光学信号对应的所述测试组的设计套刻偏差值，获取实际套刻偏差值。
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