福建省晋华集成电路有限公司赖惠先获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118574412B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410961590.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由赖惠先;沈洪;李智育设计研发完成，并于2024-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：目标层结构和导电结构。目标层结构包括至少一介质层，所述介质层内设有至少一沟槽。导电结构位于所述沟槽内，且与介质层直接接触。其中，与介质层直接接触的导电结构的底面具有最大表面粗糙度D1，与介质层直接接触的导电结构的侧面具有一最大表面粗糙度D2，所述最大表面粗糙度D1所述最大表面粗糙度D2。本公开用于提升制程可靠性以及高密度集成存储器的电学性能。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 目标层结构，包括至少一介质层，所述介质层内设有至少一沟槽； 导电结构，位于所述沟槽内，且与所述介质层直接接触； 其中，所述导电结构的底面和至少部分侧面接触同一所述介质层；与所述介质层直接接触的导电结构的底面具有最大表面粗糙度D1，与所述介质层直接接触的导电结构的侧面具有一最大表面粗糙度D2，所述最大表面粗糙度D1所述最大表面粗糙度D2； 所述导电结构的底面包括：沿第一方向依序等距排列的第一区域、第二区域和第三区域； 其中，所述第一方向垂直于所述沟槽的深度方向，且所述第一方向为所述沟槽的宽度方向；所述第二区域和所述第三区域的表面粗糙度均大于所述第一区域的表面粗糙度。
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