中国科学院过程工程研究所朱廷钰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院过程工程研究所申请的专利一种用于CO氧化的单原子缺陷催化剂及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118477634B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410609305.6，技术领域涉及：B01J23/42；该发明授权一种用于CO氧化的单原子缺陷催化剂及其制备方法和应用是由朱廷钰;刘霄龙;邹洋;赵永奇;金帅丽设计研发完成，并于2024-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于CO氧化的单原子缺陷催化剂及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于CO氧化的单原子缺陷催化剂及其制备方法和应用，所述单原子缺陷催化剂包括缺陷TiO2载体和负载于所述缺陷TiO2载体上的活性组分，所述活性组分包括贵金属单原子；所述缺陷TiO2载体上具有缺陷位点，所述缺陷位点为氧空位和钛空位导致的缺陷结构；所述活性组分位于所述缺陷TiO2载体的缺陷位点上；所述活性组分以配位结构存在于单原子缺陷催化剂中，所述配位结构的配位数为5。本发明提供的单原子缺陷催化剂中催化剂载体具有的缺陷结构能够作为活性组分负载的位点，贵金属活性组分以单原子的形式均匀地分散在载体缺陷位点上，降低了贵金属的含量，原子利用率高并且具有高的CO催化氧化活性。
本发明授权一种用于CO氧化的单原子缺陷催化剂及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种用于CO氧化的单原子缺陷催化剂的制备方法，其特征在于，所述单原子缺陷催化剂包括缺陷TiO2载体和负载于所述缺陷TiO2载体上的活性组分，所述活性组分包括贵金属单原子； 所述缺陷TiO2载体上具有缺陷位点，所述缺陷位点为氧空位和钛空位导致的缺陷结构；所述活性组分位于所述缺陷TiO2载体的缺陷位点上； 所述单原子缺陷催化剂的制备方法包括以下步骤： 1将钛前驱体、硅前驱体和水混合共水解得到第一混合物，将得到的第一混合物经第一旋蒸、第一干燥和第一煅烧后得到钛硅复合物； 2将步骤1得到的钛硅复合物与碱液混合进行刻蚀，经固液分离、洗涤和第二干燥后得到具有缺陷位点的缺陷TiO2载体； 3混合贵金属源与所述缺陷TiO2载体进行浸渍，再依次经第二旋蒸、第三干燥和第二煅烧，得到所述单原子缺陷催化剂。
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