西安外事学院李纯纯获国家专利权
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龙图腾网获悉西安外事学院申请的专利一种锂元素过量的LiGaSiO4微波介质陶瓷材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118388227B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310470870.4，技术领域涉及：C04B35/16；该发明授权一种锂元素过量的LiGaSiO4微波介质陶瓷材料及其制备方法是由李纯纯;李云翠;张阿梅;侯鸿平;苗壮;杜红亮设计研发完成，并于2023-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种锂元素过量的LiGaSiO4微波介质陶瓷材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种锂元素过量的LiGaSiO4微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于电子信息功能材料制备技术领域。所述锂元素过量的LiGaSiO4微波介质陶瓷材料的制备方法包括如下步骤：按照Li1+xGaSiO40≤x≤0.08的组成称取Li2CO3，Ga2O3和SiO2，粉磨，焙烧，得到预制粉末；在预制粉末中添加粘结剂造粒，压制成型，烧结，得到所述LiGaSiO4微波介质陶瓷材料。本发明运用非化学计量方法获得了一种Li过量的LiGaSiO4微波介质陶瓷材料，缓解了高温烧结过程Li挥发导致的晶体结构缺陷，提升了陶瓷致密度，更适合被用做微波介质陶瓷。
本发明授权一种锂元素过量的LiGaSiO4微波介质陶瓷材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种锂元素过量的LiGaSiO4微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤如下： 1按照Li1+xGaSiO4的组成称取Li2CO3，Ga2O3和SiO2，粉磨，焙烧，得到预制粉末； 2在预制粉末中添加粘结剂造粒，压制成型，烧结，得到所述LiGaSiO4微波介质陶瓷材料； 步骤1中，所述x=0.02,0.04,0.06或0.08；所述焙烧的温度为900℃，升温速率为5℃min，时间为4-8h； 步骤2中，所述烧结的温度为950-1090℃，升温速率为5℃min，时间为4-8h。
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