中国科学院大连化学物理研究所朱雪峰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利一种致密陶瓷薄膜的低温熔体反应制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118206373B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211617955.2，技术领域涉及：C04B35/468；该发明授权一种致密陶瓷薄膜的低温熔体反应制备方法是由朱雪峰;冯秋霞;张黎明;张鹏;杨维慎设计研发完成，并于2022-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种致密陶瓷薄膜的低温熔体反应制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种低温熔体反应法制备致密陶瓷薄膜。本发明引入低温熔体，使高熔点的反应物溶解在该熔融盐中并发生反应，达到过饱和后析出目标产物晶体并逐渐长大、连生，最后可获得1～10μm的致密陶瓷薄膜。本发明将传统烧结方法中的固固体系转变为固液体系，传质和反应速率更快；同时能够避免传统高温烧结1200℃带来的变形、元素偏析等问题；节约能源且方法简单、成本低廉，不需要特定的仪器设备，易于实现大规模制备。
本发明授权一种致密陶瓷薄膜的低温熔体反应制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于熔体反应的陶瓷薄膜低温致密化方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： 1将反应物粉体制备成浆料，均匀涂在基底上并焙烧除去有机物； 2将一定量低熔点熔体粉末压成片状，置于步骤1涂层上表面； 3将步骤2组合物放入管式炉中通气反应；反应温度不高于600℃；熔体粉末到达熔点后成为熔融态，反应物在其中发生溶解并与熔体发生反应，达到一定过饱和度后析出产物晶体并不断长大、连生，最后用去离子水清洗，即可获得致密陶瓷薄膜； 反应物粉体为用于制备陶瓷薄膜的原料，为金属氧化物； 熔体粉末为用于制备陶瓷薄膜的原料且其熔化后可提供晶体生长的熔融环境，为金属氧化物或金属盐； 反应物粉体熔点高于熔体粉末；所述熔体粉末的熔点为不高于600℃。
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