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龙图腾网获悉温州核芯智存科技有限公司申请的专利一种原子沉积腔室、设备、设备制造方法及电容制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118166339B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410129574.2，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种原子沉积腔室、设备、设备制造方法及电容制备方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2024-01-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种原子沉积腔室、设备、设备制造方法及电容制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种原子沉积腔室，涉及半导体制造设备领域，原子沉积腔室包括等离子反应腔体；隔离环，其设置于所述等离子反应腔体的内部，所述隔离环的外壁覆盖所述等离子反应腔体的内壁。原子沉积设备包括设备本体；热反应腔室，其与所述等离子反应腔体并列设置；真空单元，用于设备中真空与大气环境的切换，包括第一真空锁和第二真空锁；装载单元，用于放置晶圆，包括第一装载台和第二装载台；转移单元，用于转移晶圆，包括第一机械臂和第二机械臂。本发明通过设备改造，充分发挥原子沉积设备功能，使其单腔室具备沉积和刻蚀双重功能，提高设备利用率，实现一机多能，以应对一般量产产品必须但是使用量又比较少的机台。

本发明授权一种原子沉积腔室、设备、设备制造方法及电容制备方法在权利要求书中公布了：1.一种原子沉积腔室，其特征在于：包括， 等离子反应腔体100； 隔离环200，其设置于所述等离子反应腔体100的内部，所述隔离环200的外壁完全覆盖所述等离子反应腔体100的内壁； 所述隔离环200与所述等离子反应腔体100为可拆卸式连接； 所述隔离环200为阶梯环，通过喷淋头102将其卡在所述等离子反应腔体100内部； 还包括刻蚀管路300，其与所述等离子反应腔体100连通，用于释放刻蚀气体； 所述刻蚀管路300里通有用于半导体刻蚀的气体BF3或Cl2，通过电源提供能量，功率放大器增强震荡频率使得BF3或Cl2解离成含F或Cl的自由基，含F或Cl的自由基传输吸附到刻蚀层，与刻蚀层表面发生反应形成具有挥发性的副产物，从而实现对材料的定向隔离刻蚀； 通过增加所述刻蚀管路300和所述隔离环200，使所述等离子反应腔体100同时具备原子薄膜沉积与薄膜干刻两种功能。

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