深圳先进技术研究院李伟民获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳先进技术研究院申请的专利一种CIGS光吸收层制备装置及制备方法、CIGS太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118166329B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410264815.4，技术领域涉及：C23C14/56；该发明授权一种CIGS光吸收层制备装置及制备方法、CIGS太阳能电池是由李伟民;苑欣业;唐玮;俞深;杨春雷设计研发完成，并于2024-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种CIGS光吸收层制备装置及制备方法、CIGS太阳能电池在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池技术领域。本发明提供了一种CIGS光吸收层制备装置及制备方法、CIGS太阳能电池。本申请提供的CIGS光吸收层制备装置，包括：进样室、第一溅射室、第二溅射室、第一过渡室、第一高温室、第二高温室、出样室；与常规的CIGS光吸收层制备装置相比，本装置通过设置第一高温室对形成硒膜的CIG前驱体进行硒化、硫化，得到硒化、硫化的CIGS光吸收层，进而有效提高了太阳能电池的光电转化效率，并在高温和湿度环境下保持较好的稳定性。本发明的CIGS光吸收层制备装置，具有生产效率高，稳定性高，制备薄膜均匀性高等优点。
本发明授权一种CIGS光吸收层制备装置及制备方法、CIGS太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种CIGS光吸收层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将衬底经进样室导入第一溅射室； 在第一溅射室内于衬底上制备金属背电极； 在第二溅射室内于金属背电极上制备CIG前驱体； 在第一过渡室用内对硒源进行蒸发并在CIG前驱体上形成硒膜； 在第一高温室内对形成硒膜的CIG前驱体进行硒化、硫化，得到CIGS光吸收层； 在第二高温室对CIGS光吸收层进行退火； 将含有CIGS光吸收层的衬底从出样室导出；向第一高温室内通入含有H2S的混合气体，以对形成硒膜的CIG前驱体进行硒化、硫化，得到CIGS光吸收层；在第二高温室对CIGS光吸收层进行退火过程中，向第二高温室内通入含有H2S的混合气体；所述在第一高温室内对形成硒膜的CIG前驱体进行硒化、硫化的步骤中，控制温度为110~130℃； 所述在第二高温室对CIGS光吸收层进行退火的步骤中，退火温度为550~590℃。
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