海南医学院杨东获国家专利权
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龙图腾网获悉海南医学院申请的专利一种限域式金属原子插层石墨烯及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118164480B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410274344.5，技术领域涉及：C01B32/194；该发明授权一种限域式金属原子插层石墨烯及其制备方法和应用是由杨东;胡廷伟;卞祥龙;夏乾峰设计研发完成，并于2024-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种限域式金属原子插层石墨烯及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开一种限域式金属原子插层石墨烯及其制备方法和应用，该方法将表面生长有金属薄层的SiC基石墨烯以“面对面”的方式贴合在一起后放置于密闭真空容器中，由此构建的限域空间可有效调控金属原子的挥发，抑制金属插层的随机性，进而增大金属插层面积。该金属插层技术简单有效，可推广至各类SiC基石墨烯以及缓冲层的金属插层，有望推进SiC基石墨烯大规模均匀的金属插层，对于微电子以及二维金属材料等领域的应用提供重要的指导与借鉴价值。
本发明授权一种限域式金属原子插层石墨烯及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种限域式金属原子插层石墨烯的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：对单晶SiC基底进行热处理，制得SiC基石墨烯； S2：在两片所述SiC基石墨烯表面分别生长一层金属纳米薄层； S3：将两片所述生长有金属纳米薄层的SiC基石墨烯面对面贴合后，在真空条件下进行退火处理，制得所述金属原子插层石墨烯；贴合时，两层金属纳米薄层接触设置； 步骤S3中，样品升温速率为25~35℃min，升温时间与保温时间之和不超过1h； 步骤S3中，所述退火温度为600~800℃，退火时间为20~30min； 步骤S3中，真空度为1×10-2~5×10-2Torr。
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