国网智能电网研究院有限公司韩钰获国家专利权
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龙图腾网获悉国网智能电网研究院有限公司申请的专利一种高介电性能氮化硅复合陶瓷及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118125831B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410250050.9，技术领域涉及：C04B35/593；该发明授权一种高介电性能氮化硅复合陶瓷及其制备方法是由韩钰;张一铭;侯东;聂京凯;卢理成;祝志祥;刘辉设计研发完成，并于2024-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高介电性能氮化硅复合陶瓷及其制备方法在说明书摘要公布了：一种高介电性能氮化硅复合陶瓷及其制备方法，属于电工绝缘陶瓷技术领域，克服现有技术中绝缘支柱用材料介电性能差的缺陷。本发明高介电性能氮化硅复合陶瓷的制备方法包括以下步骤：步骤1、将氮化硅粉末、烧结助剂、分散剂、粘结剂和水混合制备浆料；所述烧结助剂包括Y2O3、Al2O3和Bi2O3，Y2O3：Al2O3：Bi2O3：氮化硅粉末的质量比为0.01‑0.15：0.01‑0.13：0.01‑0.08：1；步骤2、制备造粒粉；步骤3、压制成型；步骤4、排胶；步骤5、在负压下进行第一步烧结，随后在氮气压力下进行第二步烧结。本发明氮化硅复合陶瓷具有优异的介电性能。
本发明授权一种高介电性能氮化硅复合陶瓷及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高介电性能氮化硅复合陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、将氮化硅粉末、烧结助剂、分散剂、粘结剂和水混合制备浆料； 所述烧结助剂包括Y2O3、Al2O3和Bi2O3，Y2O3：Al2O3：Bi2O3：氮化硅粉末的质量比为0.01-0.15：0.01-0.13：0.01-0.08：1； 步骤2、将所述浆料采用喷雾造粒制备造粒粉； 步骤3、将所述造粒粉压制成型，制得陶瓷生坯； 步骤4、将所述陶瓷生坯进行排胶； 步骤5、将排胶后的陶瓷生坯在负压下进行第一步烧结，随后在氮气压力下进行第二步烧结； 步骤5包括： 先在70-95KPa压力下升温至1100~1500℃，保温1~5小时；随后充入氮气，加压到0.1~5MPa，升温至1750~1900℃，保温1~5小时； 制得的所述高介电性能氮化硅复合陶瓷在50Hz、20℃下介电常数在7.6-8.5之间，20℃下介电损耗小于0.01。
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