深圳先进电子材料国际创新研究院赵健伟获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳先进电子材料国际创新研究院申请的专利一种高应变铁酸铋基无铅压电陶瓷及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118084471B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410230276.2，技术领域涉及：C04B35/26；该发明授权一种高应变铁酸铋基无铅压电陶瓷及其制备方法是由赵健伟;覃海兰;陈小欣;黎洪天;孙蓉设计研发完成，并于2024-02-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高应变铁酸铋基无铅压电陶瓷及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种高应变铁酸铋基无铅压电陶瓷及其制备方法，其由组成通式1‑x‑yBiFeO3‑xBaTiO3‑yM表示，其中，0.2595％、较高的应变性能、高居里温度等特性，同时本发明采用的固相烧结工艺技术操作简单、成本低，适合规模化生产，制备得到的铁酸铋基三元体系无铅陶瓷材料可用做多层陶瓷制动器的介质材料。
本发明授权一种高应变铁酸铋基无铅压电陶瓷及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铁酸铋基三元压电陶瓷组合物，其特征在于，其由组成通式1-x-yBiFeO3-xBaTiO3-yM表示， 其中，0.30≤x≤0.32,0.01y≤0.03； 掺杂物M选自BaHfO3、CaSiO3。
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