福建金石能源有限公司张津燕获国家专利权
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龙图腾网获悉福建金石能源有限公司申请的专利一种本征非晶硅钝化层的制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118073481B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410210622.0，技术领域涉及：H10F71/10；该发明授权一种本征非晶硅钝化层的制备工艺是由张津燕;曾清华;张宏;王玉华设计研发完成，并于2024-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种本征非晶硅钝化层的制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种本征非晶硅钝化层的制备工艺，包括如下步骤：利用PECVD设备在制绒清洗后的晶硅基底上制备第一本征非晶硅薄膜，沉积过程中控制沉积功率分3‑5个阶段逐步降低，沉积功率每阶段的降幅是等值或不等值，功率密度从50‑80mWcm2梯度递减至20‑40mWcm2，最终阶段的沉积功率相较最初阶段的沉积功率降低20%‑50%；对第一本征非晶硅薄膜进行氢等离子体处理；沉积第二本征非晶硅薄膜；沉积第三本征非晶硅薄膜。本发明在沉积第一本征非晶硅薄膜时，沉积功率沿着薄膜生长方向梯度递减，一方面可以有效地提高非晶硅薄膜界面钝化的效果，另一方面可以提高薄膜质量，从而提升所制电池的转换效率。
本发明授权一种本征非晶硅钝化层的制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种本征非晶硅钝化层的制备工艺，其特征在于：所述制备工艺包括如下步骤： 利用PECVD设备在制绒清洗后的晶硅基底上制备第一本征非晶硅薄膜，沉积过程中控制沉积功率分3-5个阶段逐步降低，沉积功率每阶段的降幅是等值或不等值，功率密度从50-80mWcm2梯度递减至20-40mWcm2，最终阶段的沉积功率相较最初阶段的沉积功率降低20%-50%； 对第一本征非晶硅薄膜进行氢等离子体处理； 沉积第二本征非晶硅薄膜； 沉积第三本征非晶硅薄膜。
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