昂宝电子(上海)有限公司黄国华获国家专利权
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龙图腾网获悉昂宝电子(上海)有限公司申请的专利低压增强型硅基晶体管器件和共栅共源结构功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117995804B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410081325.0，技术领域涉及：H10W70/40；该发明授权低压增强型硅基晶体管器件和共栅共源结构功率器件是由黄国华;刘剑;陈瑜;陈志樑设计研发完成，并于2024-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本低压增强型硅基晶体管器件和共栅共源结构功率器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种低压增强型硅基晶体管器件和共栅共源结构功率器件。根据本发明实施例的低压增强型硅基晶体管器件包括源极、漏极、以及栅极，其中，该源极、漏极、以及栅极全部位于该低压增强型硅基晶体管器件的正表面上。
本发明授权低压增强型硅基晶体管器件和共栅共源结构功率器件在权利要求书中公布了：1.一种低压增强型硅基晶体管器件，包括源极、漏极、以及栅极，其中，所述低压增强型硅基晶体管器件的源极、漏极、以及栅极全部位于所述低压增强型硅基晶体管器件的正表面上， 所述低压增强型硅基晶体管和耗尽型GaN晶体管器件被封装在共栅共源结构功率器件的封装结构中，所述耗尽型GaN晶体管器件的源极、漏极和栅极全部位于所述耗尽型GaN晶体管器件的正表面上，所述低压增强型硅基晶体管器件和所述耗尽型GaN晶体管器件均直接连接在采用单一基岛的引线框架的框架基岛上，所述低压增强型硅基晶体管器件和所述耗尽型GaN晶体管器件之间以及二者中的任意一者与所述框架基岛之间通过打线连接。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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