松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所麻朝阳获国家专利权
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龙图腾网获悉松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所申请的专利荧光陶瓷及其制备方法、发光器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117946680B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311846032.9，技术领域涉及：C09K11/80；该发明授权荧光陶瓷及其制备方法、发光器件是由麻朝阳;曹永革;唐健;李英魁;文子诚设计研发完成，并于2023-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本荧光陶瓷及其制备方法、发光器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种荧光陶瓷及其制备方法、发光器件。该荧光陶瓷包括荧光陶瓷基片，所述荧光陶瓷基片具有入光面、出光面和侧面，所述入光面和所述出光面相对设置，所述侧面位于所述入光面和所述出光面之间，所述出光面和至少部分所述侧面上均具有经腐蚀形成的腐蚀纹理结构。光线在在出光面和侧面上的腐蚀纹理结构的作用下发生大量散射，并最终复合形成更为均质的白光出射，从而能够明显改善“黄边效应”的问题。
本发明授权荧光陶瓷及其制备方法、发光器件在权利要求书中公布了：1.一种荧光陶瓷，其特征在于，包括荧光陶瓷基片，所述荧光陶瓷基片具有入光面、出光面和侧面，所述入光面和所述出光面相对设置，所述侧面位于所述入光面和所述出光面之间，所述出光面和至少部分所述侧面上均具有经腐蚀形成的腐蚀纹理结构；所述腐蚀纹理结构对于光线具有漫反射作用；所述腐蚀纹理结构的表面粗糙度为200nm~500nm；所述入光面的表面粗糙度≤20nm。
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