上海鑫野半导体科技有限公司;安徽鑫野新材料科技有限公司赵阳获国家专利权
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龙图腾网获悉上海鑫野半导体科技有限公司;安徽鑫野新材料科技有限公司申请的专利一种用于半导体制程中的烷类气体吸附剂及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117797774B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410161842.9，技术领域涉及：B01J20/20；该发明授权一种用于半导体制程中的烷类气体吸附剂及其制备方法是由赵阳;赵宸设计研发完成，并于2024-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于半导体制程中的烷类气体吸附剂及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及气体吸附剂领域，具体涉及一种用于半导体制程中的烷类气体吸附剂及其制备方法，所述吸附剂包括以下原料：活性二氧化锰50‑65份、改性活性炭40‑50份、活性氧化铜27‑32份、高锰酸钾水溶液105‑110份、润滑剂0.2‑0.6份、硝酸锰0.01‑0.03份、白炭黑1‑4份。本发明通过对改性活性炭、活性二氧化锰、活性氧化铜以及高锰酸钾的用量进行调控能够使制备的吸附剂对硅烷、磷烷以及砷烷废气具有较高的吸附分解能力，并且吸附容量大，持久作用效果优异。
本发明授权一种用于半导体制程中的烷类气体吸附剂及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体制程中的烷类气体吸附剂，其特征在于，按照重量份计，所述吸附剂包括以下原料：活性二氧化锰50-65份、改性活性炭40-50份、活性氧化铜27-32份、质量浓度为5-7%的高锰酸钾水溶液105-110份、润滑剂0.2-0.6份、硝酸锰0.01-0.03份、白炭黑1-4份； 所述白炭黑包括沉淀白炭黑和气相白炭黑，重量比为1：2-5； 所述沉淀白炭黑的平均粒度为10-15μm，BET比表面积为150-200m2g； 所述气相白炭黑为疏水性气相白炭黑，平均粒径为10-20nm，比表面积为170-230m2g； 所述改性活性炭的制备步骤包括：将干燥后的活性炭用去离子水浸湿，再加入去离子水浸泡，然后加入氯化铜溶液进行浸渍处理，真空加热后进行冷凝回流，接着倒掉浸渍液，对固体物进行洗涤、干燥、煅烧后即得到所述改性活性炭； 所述浸渍处理的条件为：氯化铜溶液的质量分数为15-20%，浸渍比为1：8-12，浸渍时间为0.5-1h。
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