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龙图腾网获悉中国科学院金属研究所申请的专利一种缺陷诱导合成纳米碳材料内嵌金属纳米颗粒复合薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117587370B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311292972.8，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种缺陷诱导合成纳米碳材料内嵌金属纳米颗粒复合薄膜的方法是由张峰;何桂枝;刘畅;张子初;成会明设计研发完成，并于2023-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种缺陷诱导合成纳米碳材料内嵌金属纳米颗粒复合薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及纳米碳材料复合宏观体的可控制备领域，具体为一种缺陷诱导合成纳米碳材料内嵌金属纳米颗粒复合薄膜的方法。采用等离子体刻蚀、化学氧化等方法在高质量纳米碳材料薄膜上可控制造缺陷；加热条件下以磁控溅射轰击不同的金属靶材，使其在缺陷处形核生长形成金属团簇纳米颗粒，获得单分散金属纳米颗粒内嵌于纳米碳材料的复合薄膜。通过调控纳米碳材料缺陷和磁控溅射工艺条件，调节金属纳米颗粒的分散度和尺寸，并使其尺寸在亚纳米到十纳米范围内精确可调。该方法所制备的不同成分金属纳米颗粒内嵌于纳米碳薄膜，其具有金属颗粒与纳米碳载体具有更强的相互作用，在能量存储与转换、传感与监测、催化等领域具有广阔的应用前景。

本发明授权一种缺陷诱导合成纳米碳材料内嵌金属纳米颗粒复合薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种缺陷诱导合成纳米碳材料内嵌金属纳米颗粒复合薄膜的方法，其特征在于，以等离子体刻蚀或化学氧化方法在纳米碳材料薄膜上引入缺陷，在加热条件下以磁控溅射轰击不同的金属靶材，在缺陷处形核生长形成金属团簇纳米颗粒，获得纳米碳材料内嵌金属纳米颗粒复合薄膜；通过调控纳米碳材料薄膜缺陷和磁控溅射工艺条件，获得密度、尺寸和分散度可调的金属纳米颗粒，其尺寸在亚纳米到十纳米范围内精确可调； 以磁控溅射轰击不同的金属靶材，调控磁控溅射过程中的溅射功率和加热温度，使金属粒子优先吸附在缺陷处，锚定后形核生长金属团簇纳米颗粒，获得纳米碳材料内嵌金属纳米颗粒复合薄膜； 在磁控溅射过程中需要进行加热，调控加热温度在100~900℃范围内使金属纳米颗粒稳定并内嵌于缺陷处； 以30~50W氢气等离子体处理高质量单壁碳纳米管薄膜1000~1500s制造高密度缺陷，磁控溅射过程中将加热温度控制在100~400℃，溅射功率控制在0.5~50W，溅射高纯铂靶材时间为5~100s，获得单壁碳纳米管内嵌高密度亚纳米铂团簇复合薄膜。

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