杭州盾源聚芯半导体科技有限公司章宇获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州盾源聚芯半导体科技有限公司申请的专利一种硅制喷射管的立式氧化治具及氧化工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117448779B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311409586.2，技术领域涉及：C23C16/44；该发明授权一种硅制喷射管的立式氧化治具及氧化工艺是由章宇;祝建敏;俞凯鑫设计研发完成，并于2023-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅制喷射管的立式氧化治具及氧化工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅制喷射管的立式氧化治具，用于放置硅制喷射管，其包括顶盖，所述顶盖开设有贯穿式的放置槽；底座，所述底座开设有托槽，所述托槽底面开设有贯穿底座的通气孔，水蒸气从通气孔底部通入，所述通气孔内径小于等于硅制喷射管内径，所述放置槽的内壁与硅制喷射管外壁相接触，所述托槽的内壁与硅制喷射管外壁相接触；支撑柱，固接于顶盖与底座之间；所述放置槽与托槽位置竖直对应，硅制喷射管穿过放置槽后插入到托槽内。本申请能够保证硅制喷射管在氧化过程，水蒸气能够充分从硅制喷射管的内壁进入并均匀将硅制喷射管内壁氧化，提高了硅制喷射管的内壁氧化效果，进而提高了硅制喷射管的使用寿命。
本发明授权一种硅制喷射管的立式氧化治具及氧化工艺在权利要求书中公布了：1.一种硅制喷射管的立式氧化治具，用于放置硅制喷射管1，其特征在于，包括： 顶盖2，所述顶盖2开设有贯穿式的放置槽21； 底座3，所述底座3开设有托槽31，所述托槽31底面开设有贯穿底座3的通气孔32，所述通气孔32内径小于等于硅制喷射管1内径； 支撑柱4，固接于顶盖2与底座3之间； 所述放置槽21与托槽31位置竖直对应，硅制喷射管1穿过放置槽21后插入到托槽31内； 所述底座3的底面开设有聚气槽7，所述通气孔32均位于聚气槽7内。
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