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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第四十六研究所申请的专利一种低损耗超薄PTFE微波介质基板的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117429141B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311377907.5，技术领域涉及：B32B27/04；该发明授权一种低损耗超薄PTFE微波介质基板的制备方法是由韩桂云;李强;洪颖;张立欣;金霞;王丽婧;张伟;刘雨川设计研发完成，并于2023-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低损耗超薄PTFE微波介质基板的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低损耗超薄PTFE微波介质基板的制备方法。该方法步骤：1、PTFE复合胶液的制备；2、玻璃纤维布浸渍；3、片状基片层压；采取该制备方法制得的PTFE微波介质基板填料颗粒细小，填充率高，提升了超薄基板厚度和介电常数均匀性，基板厚度为0.065mm±0.008mm，10GHz下基板介电常数为2.95±0.03；降低了高频下的损耗因子，10GHz下基板损耗因子≤0.0011。制备工艺简便，容易连续化生产，微波基板性能优异，满足高频通信领域多层电路板对微波介质基板苛刻的性能要求。

本发明授权一种低损耗超薄PTFE微波介质基板的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低损耗超薄PTFE微波介质基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法有以下步骤： A、PTFE复合胶液的制备 A1、将纳米级陶瓷粉和亚微米级陶瓷粉在锥形混料机中分别用硅烷偶联剂进行喷雾改性，硅烷偶联剂的质量分别为纳米级陶瓷粉和亚微米级陶瓷粉质量的1%~10%，分别得到改性纳米级陶瓷粉和改性亚微米级陶瓷粉； A2、将改性纳米级陶瓷粉、改性亚微米级陶瓷粉和去离子水采用高剪切搅拌机混合均匀，然后采用卧式球磨机球磨分散，球磨转速为1000-2000rpm，球磨时间1h~5h，得到改性陶瓷粉浆料；所述改性纳米级陶瓷粉、改性亚微米级陶瓷粉的质量比为1:1~1:5，去离子水的质量等于改性纳米级陶瓷粉和改性亚微米级陶瓷粉总质量的10%~30%； A3、采用低速三叶式搅拌机，将所述改性陶瓷粉浆料和PTFE乳液混合均匀，混合转速为100~300rpm，混合时间为1h~2h，然后加入表面活性剂，继续搅拌1h~2h，得到PTFE复合胶液；所述改性陶瓷粉浆料和PTFE乳液的质量比为1:2~1:4，所述表面活性剂的质量为改性陶瓷粉浆料质量的0.5%~1.5%； B、玻璃纤维布浸渍 B1、将所述PTFE复合胶液注入高温上胶系统的浸胶槽中，将玻璃纤维布匀速通过浸胶槽中浸入PTFE复合胶液，浸渍车速控制在2~4mmin； B2、将浸渍有PTFE复合胶液的玻璃纤维布经过高温烘道烘烤固化，制成卷装基片，烘道第一段温度控制在240~280℃，有效去除基片中的水分和有机助剂，烘道第二段温度控制在320~360℃，使PTFE复合胶液与玻璃纤维布紧密结合； B3、使用基片裁切机将卷状基片裁切成所需的片状基片； C、片状基片层压 将片状基片按照所需的厚度进行叠层，双面覆铜箔，经真空层压机热压烧结，控制热压温度360~400℃，真空度小于60mmHg，压力6~10MPa，烧结时间2~4h，自然冷却至室温，得到基板厚度为0.065mm±0.008mm，10GHz下基板介电常数为2.95±0.03；10GHz下基板损耗因子≤0.0011的低损耗超薄PTFE微波介质基板； 所述纳米级陶瓷粉选择平均粒径D50为10nm~50nm、平均粒径D100为50nm~100nm的SiO2、TiO2、ZnO、BN、Al2O3中的一种； 所述亚微米级陶瓷粉选择平均粒径D50为0.3μm~0.9μm、平均粒径D100为3μm~10μm的SiO2、TiO2、ZnO、BN、Al2O3中的一种； 所述硅烷偶联剂为苯基三甲氧基硅烷、氨丙基三甲氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、十三氟辛基三乙氧基硅烷中的一种。

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