西安紫光国芯半导体有限公司李乾男获国家专利权
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龙图腾网获悉西安紫光国芯半导体有限公司申请的专利一种存储结构及存储器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117350232B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210759006.1,技术领域涉及:G06F30/394;该发明授权一种存储结构及存储器是由李乾男;张衍芳设计研发完成,并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存储结构及存储器在说明书摘要公布了:本发明公开了一种存储结构及存储器,其中存储结构包括:第一存储芯片和第二存储芯片;第一存储芯片堆叠设置在第二存储芯片一侧,第一存储芯片和第二存储芯片之间三维连接;第一存储芯片设置有用于连接至预设的电路板的多个引脚,第一存储芯片的信号传输线与引脚连接,第二存储芯片的信号传输线穿过第一存储芯片与引脚连接;存储结构被配置为在接收到预设的第一片选信号后,通过第一存储芯片的信号传输线对第一存储芯片进行读或写;还被配置为在接收到预设的第二片选信号后,通过第二存储芯片的信号传输线对第二存储芯片进行读或写。本发明在实现存储容量扩展的过程中避免了增加PCB板的布线资源,降低了封装成本。
本发明授权一种存储结构及存储器在权利要求书中公布了:1.一种存储结构,其特征在于,包括:第一存储芯片和第二存储芯片;所述第一存储芯片堆叠设置在所述第二存储芯片一侧,所述第一存储芯片和所述第二存储芯片之间三维连接;所述第一存储芯片设置有用于连接至预设的电路板的多个引脚,所述第一存储芯片的信号传输线与所述引脚连接,所述第二存储芯片的信号传输线穿过所述第一存储芯片与所述引脚连接; 所述存储结构被配置为在接收到预设的第一片选信号后,通过所述第一存储芯片的信号传输线对所述第一存储芯片进行读或写;还被配置为在接收到预设的第二片选信号后,通过所述第二存储芯片的信号传输线对所述第二存储芯片进行读或写。
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