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龙图腾网获悉淮阴工学院申请的专利集成有双吸收区的光电探测器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117334777B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311261674.2，技术领域涉及：H10F30/223；该发明授权集成有双吸收区的光电探测器的制备方法是由蒋青松;苏媛;潘贻婷;杨潇;曹苏群设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成有双吸收区的光电探测器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及集成芯片领域，公开了一种集成有双吸收区的光电探测器的制备方法，光电探测器包括自下而上设置的基底、第二吸收有源区、光传输波导区和第一吸收有源区；第一吸收有源区中横向依次设置第一P++掺杂区、第一P+掺杂区、第一本征I区、第一N+掺杂区以及第一N++掺杂区，第一P++掺杂区与第一金属电极电性连接；第二吸收有源区中横向依次设置第二P++掺杂区、第二P+掺杂区、第二本征I区、第二N+掺杂区以及第二N++掺杂区，第二P++掺杂区与第二金属电极电性连接；第一与第二N++掺杂区通过金属通孔电性连接。本光电探测器具有两个不同的光吸收区，能够探测出高功率和多波段的光信号，响应度高，光‑电响应带宽大。

本发明授权集成有双吸收区的光电探测器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成有双吸收区的光电探测器的制备方法，其特征在于，所述制备方法如下： 1在衬底上沉积绝缘层形成基底1，并在所述基底1的绝缘层上沉积第二吸收有源区薄膜，光刻、刻蚀后形成脊型波导结构； 2对脊型波导结构依次进行P++掺杂、N++掺杂、P+掺杂、N+掺杂，分别形成第二P++掺杂区9、第二N++掺杂区13、第二P+掺杂区10、第二N+掺杂区12，并保留有不掺杂的第二本征I区11，形成第二吸收有源区； 3沉积绝缘层并平坦化处理，光刻开窗口后，在适当位置沉积光传输波导区材料，形成光传输波导区2； 4沉积绝缘层，光刻、刻蚀后沉积金属通孔材料，形成金属通孔15； 5沉积第一吸收有源区材料，光刻、刻蚀后形成脊型波导结构； 6对脊型波导结构依次进行P++掺杂、N++掺杂、P+掺杂、N+掺杂，分别形成第一P++掺杂区3、第一N++掺杂区7、第一P+掺杂区4、第一N+掺杂区6，并保留有不掺杂的第一本征I区5，形成第一吸收有源区； 7光刻开窗口，分别在第一P++掺杂区3和第二P++掺杂区9上沉积形成第一金属电极8和第二金属电极14。

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