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龙图腾网获悉晶丰芯驰(上海)半导体科技有限公司;宁波晶丰芯驰半导体材料有限公司申请的专利具有二维电子气和二维空穴气的SiC外延结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117238952B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311299746.2，技术领域涉及：H10D62/83；该发明授权具有二维电子气和二维空穴气的SiC外延结构及制备方法是由姚力军;费磊;边逸军设计研发完成，并于2023-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有二维电子气和二维空穴气的SiC外延结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有二维电子气和二维空穴气的SiC外延结构及制备方法，所述SiC外延结构包括依次设置的Si面3C‑SiC势垒层、2DHG、Si面4H‑SiC沟道层、Si面N型4H‑SiC漂移层、Si面N型4H‑SiC缓冲层、Si面导电型衬底、C面N型4H‑SiC缓冲层、C面N型4H‑SiC漂移层、C面4H‑SiC沟道层、2DEG和C面3C‑SiC势垒层。本发明中3C‑SiC和4H‑SiC在0001面的晶格失配小于0.1％，解决了晶格失配和热失配的问题，使器件具有更好的稳定性和可靠性。

本发明授权具有二维电子气和二维空穴气的SiC外延结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有二维电子气和二维空穴气的SiC外延结构，其特征在于，所述SiC外延结构包括依次设置的Si面3C-SiC势垒层、2DHG、Si面4H-SiC沟道层、Si面N型4H-SiC漂移层、Si面N型4H-SiC缓冲层、Si面导电型衬底、C面N型4H-SiC缓冲层、C面N型4H-SiC漂移层、C面4H-SiC沟道层、2DEG和C面3C-SiC势垒层； 所述Si面N型4H-SiC缓冲层的厚度为1~1.5μm，N掺杂浓度为1×1018cm-3~1.5×1018cm-3； 所述Si面N型4H-SiC漂移层的厚度为5~10μm，N掺杂浓度为5×1015cm-3~1.5×1016cm-3； 所述Si面4H-SiC沟道层的厚度为1~2μm； 所述Si面3C-SiC势垒层的厚度为50~100μm； 所述Si面导电型衬底的厚度为330~370mm； 所述C面N型4H-SiC缓冲层的厚度为1~1.5μm，N掺杂浓度1×1018cm-3~1.5×1018cm-3； 所述C面N型4H-SiC漂移层的厚度为5~10μm，N掺杂浓度5×1015cm-3~1.5×1016cm-3； 所述C面4H-SiC沟道层的厚度为1~2μm； 所述C面3C-SiC势垒层的厚度为50~100μm。

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