南亚科技股份有限公司郭时彬获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利等离子体蚀刻的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117238760B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211460273.5，技术领域涉及：H10P50/28；该发明授权等离子体蚀刻的方法是由郭时彬设计研发完成，并于2022-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体蚀刻的方法在说明书摘要公布了：一种等离子体蚀刻的方法包括以下操作。接收晶圆及氮化物层，其中氮化物层设置于晶圆上。设置环形管道在氮化物层的边缘部分上，其中环形管道具有多个孔洞，且这些孔洞朝向氮化物层的边缘部分。喷洒等离子体至氮化物层的上表面上。从环形管道的这些孔洞喷洒不饱和碳氟化合物至氮化物层的边缘部分。本揭示内容将不饱和碳氟化合物喷洒到氮化物层的边缘部分上，使边缘部分上的蚀刻速率的增加减少，因此获得均匀的蚀刻。
本发明授权等离子体蚀刻的方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子体蚀刻的方法，其特征在于，包括： 接收晶圆及氮化物层，其中该氮化物层设置于该晶圆上； 设置环形管道在该氮化物层的边缘部分上，其中该环形管道具有多个孔洞，且所述多个孔洞朝向该氮化物层的该边缘部分； 喷洒等离子体至该氮化物层的上表面上，该等离子体包括四氟甲烷、二氟甲烷或其组合； 从该环形管道的所述多个孔洞喷洒不饱和碳氟化合物至该氮化物层的该边缘部分；以及 聚合该不饱和碳氟化合物，以形成聚合物在该氮化物层的该边缘部分上，其中聚合该不饱和碳氟化合物通过该等离子体诱发。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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