联芸科技(杭州)股份有限公司叶彦斌获国家专利权
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龙图腾网获悉联芸科技(杭州)股份有限公司申请的专利存储器的电平转换电路及存储器的控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117174122B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210578917.4，技术领域涉及：G11C5/14；该发明授权存储器的电平转换电路及存储器的控制方法是由叶彦斌;张军芳;娄海鑫设计研发完成，并于2022-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器的电平转换电路及存储器的控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种存储器的电平转换电路及存储器的控制方法，存储器包括处理器以及耦接至主机以传输指令的主机接口，电平转换电路包括：第一晶体管，控制端耦接至工作电压，第一端耦接至所述主机，第二端耦接至所述主机接口，第一晶体管还包括体二极管，体二极管的正极耦接至第一晶体管的第二端，负极耦接至第一晶体管的第一端；依次串联耦接在工作电压和第一晶体管的第二端之间的开关和第一电阻；以及，耦接于第一晶体管的第一端和地之间的第二电阻；其中，开关被配置为在存储器上电后的第一阶段间歇导通和关断，以向处理器提供主机接口处的不同状态的逻辑信号，处理器根据不同状态的逻辑信号判断所述主机的状态。
本发明授权存储器的电平转换电路及存储器的控制方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器的电平转换电路，所述存储器包括处理器以及耦接至主机以传输指令的主机接口，所述电平转换电路包括： 第一晶体管，控制端耦接至工作电压，第一端耦接至所述主机，第二端耦接至所述主机接口，所述第一晶体管还包括体二极管，所述体二极管的正极耦接至所述第一晶体管的第二端，负极耦接至所述第一晶体管的第一端； 依次串联耦接在工作电压和所述第一晶体管的第二端之间的开关和第一电阻；以及， 耦接于所述第一晶体管的第一端和地之间的第二电阻；其中， 所述开关被配置为在所述存储器上电后的第一阶段间歇导通和关断，以向所述处理器提供所述主机接口处的不同状态的逻辑信号，所述处理器根据所述不同状态的逻辑信号判断所述主机的状态。
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