华南理工大学夏志国获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利具有窄带发射的Eu(II)基卤化物及其制备方法和发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117126660B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311097771.2，技术领域涉及：C09K11/06；该发明授权具有窄带发射的Eu(II)基卤化物及其制备方法和发光装置是由夏志国;韩凯设计研发完成，并于2023-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有窄带发射的Eu(II)基卤化物及其制备方法和发光装置在说明书摘要公布了：本发明属于发光材料技术领域，公开了具有窄带发射的EuII基卤化物及其制备方法和发光装置。杂化金属卤化物的化学组成式为OruEuIIvXw。本发明提出通过真空烧结工艺将研磨混合均匀的原料，在10‑2‑10‑5Pa真空度下和烧结温度120‑380℃，烧结时间为2‑24h进行烧结。该材料展现了发光强度高、半高宽小、温度猝灭特性良好、激发范围宽等特点。该发明解决了目前窄带荧光粉高温烧结能耗高，热稳定性差等关键问题。
本发明授权具有窄带发射的Eu(II)基卤化物及其制备方法和发光装置在权利要求书中公布了：1.具有窄带发射的EuII基卤化物，其特征在于，杂化金属卤化物的化学组成式为，OruEuIIvXw，其中，Or为有机配体，选自四苯基鏻、三苯基鏻、四甲基铵、四乙基铵、四丙基铵、四丁基铵、四戊基铵、二甲基铵、二乙基铵、二丙基铵、二丁基铵或二戊基铵；X为Cl,Br,I中的一种或多种；且1≤u≤15,1≤v≤10,3≤w≤30。
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