华中科技大学张茂获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种低电导率非晶合金材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117102480B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311197278.8，技术领域涉及：B22F1/145；该发明授权一种低电导率非晶合金材料及其制备方法是由张茂;马云飞;张嘉城;蔡洪钧;王婷玉;王新云;金俊松;邓磊;龚攀;唐学峰设计研发完成，并于2023-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低电导率非晶合金材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种低电导率非晶合金材料及其制备方法，属于增材制造领域，该制备方法包括如下步骤：将非晶合金粉末置于氧化性气氛下进行预氧化处理，使得非晶合金粉末表面形成非晶态氧化层，以此获得预处理后的非晶合金粉末；对预处理后的非晶合金粉末进行成形以获得低电导率非晶合金材料。本发明通过对非晶合金粉末进行预氧化处理，并结合后续成形工艺将氧化物界面层引入到非晶合金材料中，从而形成网络状的非晶态氧化物界面，不仅能够有效降低非晶合金材料的电导率，同时还能够促进剪切转变区的形核，避免剪切变形的局域化，并且该非晶态氧化物界面上金属原子与氧原子的强键合作用使得剪切转变区很难通过氧化物界面扩张，以促使材料强度的提高。
本发明授权一种低电导率非晶合金材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低电导率非晶合金材料的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤： S1将非晶合金粉末置于氧化性气氛下加热以进行预氧化处理，使得非晶合金粉末表面形成非晶态氧化层，所述非晶态氧化层的厚度为0.05μm～200μm，以此获得预处理后的非晶合金粉末，预氧化处理的温度不高于非晶合金粉末的玻璃转变温度，预氧化处理的时间低于预氧化处理温度下的孕育时间； S2对所述预处理后的非晶合金粉末进行成形以获得低电导率非晶合金材料，采用放电等离子体烧结工艺对非晶合金粉末进行成形，保温时间为2min~10min，烧结压力为100MPa~500MPa。
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