中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许文超获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利版图及版图设计方法、系统、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117077606B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210499986.6，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权版图及版图设计方法、系统、设备及存储介质是由许文超;阎大勇;郑环;宋一诺;仝海跃;杨玲设计研发完成，并于2022-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本版图及版图设计方法、系统、设备及存储介质在说明书摘要公布了：一种版图及版图设计方法、系统、设备及存储介质，版图设计方法包括：形成第一版图，第一版图包括第一主图形，第一主图形用于形成第一目标结构，且沿特定方向，两侧具有不相等应力的第一目标结构所对应的第一主图形作为待补偿图形；基于第一版图形成第二版图，第二版图包括第二主图形，第二主图形用于形成位于第一目标结构顶部上方的第二目标结构，第二主图形相对于所在的第一主图形具有基准位置；其中，沿特定方向与待补偿图形相对应的第二主图形，在待补偿图形上的位置相对于基准位置偏移，且偏移方向与待补偿图形相对应的第一目标结构的形变方向相同，形变方向与第一目标结构两侧的应力差值相关。降低第二目标结构与第一目标结构不能对准概率。
本发明授权版图及版图设计方法、系统、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种版图设计方法，其特征在于，包括： 形成第一版图，所述第一版图包括第一主图形，所述第一主图形用于形成第一目标结构，且沿特定方向，两侧具有不相等应力的所述第一目标结构所对应的第一主图形作为待补偿图形； 基于所述第一版图形成第二版图，所述第二版图包括第二主图形，所述第二主图形用于形成位于所述第一目标结构顶部上方的第二目标结构，所述第二主图形相对于所在的第一主图形具有基准位置； 其中，沿所述特定方向，与所述待补偿图形相对应的所述第二主图形，在所述待补偿图形上的位置相对于所述基准位置偏移，且偏移方向与所述待补偿图形相对应的第一目标结构的形变方向相同，所述形变方向与所述第一目标结构两侧的应力差值相关。
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