北京大学田仲政获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种控制硒化铋薄膜分形断裂的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116929868B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210359227.X，技术领域涉及：G01N1/28；该发明授权一种控制硒化铋薄膜分形断裂的方法是由田仲政;任中阳;于达程;田姣姣;任黎明;傅云义设计研发完成，并于2022-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种控制硒化铋薄膜分形断裂的方法在说明书摘要公布了：本发明公布了一种控制硒化铋薄膜分形断裂的方法，属于纳米或原子尺度器件领域。该方法在衬底上制备硒化铋薄膜，使用电学设备，使硒化铋在高电流作用下发生初始断裂，产生横向裂纹，在横向裂纹中确定物质桥位置；继续升高施加在硒化铋薄膜沟道两侧的电压，对硒化铋沟道扫描范围从0V开始，最大电压10～100V，使物质桥发生熔断，分形裂纹从物质桥处开始延展，通过施加更高电压的I‑V扫描，控制硒化铋薄膜分形裂纹。本发明使用纯电学方法来控制硒化铋薄膜分形断裂，速度快，工艺简单。
本发明授权一种控制硒化铋薄膜分形断裂的方法在权利要求书中公布了：1.一种控制硒化铋薄膜分形断裂的方法，其特征在于，包括如下步骤： 1制备硒化铋薄膜，硒化铋薄膜厚度在1nm至1000nm范围； 2将硒化铋薄膜制备为硒化铋薄膜沟道，沟道宽度和长度的范围均为0.5微米至200微米； 3将硒化铋薄膜沟道存储连接至控制器； 4使用控制器对硒化铋沟道进行I-V扫描，扫描范围从0V开始，最大电压1~50V，在硒化铋沟道上得到横向裂纹； 5在横向裂纹中确定物质桥位置；对硒化铋沟道扫描范围从0V开始，最大电压10~100V，使物质桥发生熔断，分形裂纹从物质桥处开始延展； 6分形裂纹延伸结束后，升高电压进行I-V扫描，控制硒化铋薄膜分形裂纹，至下一个物质桥的熔断。
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