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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种叠层生长多层二维材料范德华异质结的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116926472B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210684258.2，技术领域涉及：C23C14/18；该发明授权一种叠层生长多层二维材料范德华异质结的方法是由高力波;周振佳;徐洁;付梓豪设计研发完成，并于2022-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种叠层生长多层二维材料范德华异质结的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种叠层生长多层二维材料范德华异质结的方法，该方法通过精确控制反应温度以及每一步的反应产物，实现逐层生长，制备出晶圆级、多层数、多种类的高质量范德华异质结薄膜。此外，本发明从物理气相沉积制备金属薄膜，到化学气相沉积得到目标产物，不仅控制了参与反应的原料量，几乎没有浪费原料，与传统的方法相比，原料利用率大大提高，产物的晶体质量大大提高，同时产物具有极强的大气环境稳定性。本发明所制备出的范德华异质结薄膜尺寸可达晶圆级，并可实现图案化生长，对于规模化的生产应用具有重要意义，多种类范德华异质结薄膜材料的成功制备，为光电器件、自旋量子器件等领域的发展提供了材料制备技术支持。

本发明授权一种叠层生长多层二维材料范德华异质结的方法在权利要求书中公布了：1.一种叠层生长多层二维范德华异质结的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 1金属前躯体薄膜的沉积制备：使用物理气相沉积法在平整基底上沉积一层具有高平整度和高结晶度的金属薄膜作为前驱体； 2第一层过渡金属化合物薄膜的制备：将步骤1中得到的前驱体置于加热炉中，调节载气气流、温度和压强，同时加热非金属前驱体使其升华为气态，移动恒温加热位置至金属前驱体所在处，促使气相沉积反应，反应结束后，关闭非金属前驱体的加热，同时反应物自然冷却，待降至室温时，即可完成第一层过渡金属化合物的制备； 3金属前躯体薄膜的二次沉积制备：使用物理气相沉积法在已生长完成的第一层化合物薄膜上沉积第二层金属前驱物； 4第二层过渡金属化合物薄膜的制备：将步骤3中第二层金属前驱物置于化学气相沉积装置中，调节温度、载气气流和压强，设定生长的温度不高于第一层过渡金属化合物薄膜的生长温度，同时加热非金属前驱体使其升华为气态，移动恒温加热位置至金属前驱体所在处，促使气相沉积反应，并设定反应时长；反应结束后，关闭非金属前驱体的加热，同时反应物自然冷却，待降至室温时，即可完成第二层过渡金属化合物的制备； 5多层二维范德华异质结的叠层生长：改变沉积的金属膜种类以及前驱物，重复步骤1~2的制备过程即得； 步骤1中，所述物理气相沉积法采用磁控溅射工艺，其参数为压强为0.1~500Pa，载气为氮气、氩气、氧气或氢气中的一种或几种，薄膜沉积速率为0.01~10nms，基底温度为20~800℃，金属薄膜厚度为0.5~100nm； 步骤1中，所述基底包括硅片或蓝宝石；步骤1中，高平整度和高结晶度的金属薄膜包括Mo、W、Nb、Ti、V、Ta、Pt中的一种或几种； 步骤2中，所述非金属前驱体为S、Se、Te、I2或Br2中的一种； 步骤2中，所述气相沉积反应包括硫化、硒化、碲化、碘化或溴化反应中的一种或几种，步骤2或4中，所述气相沉积反应温度为50~800℃；压强为10-5~105Pa；载气为氮气、氩气、氢气或者惰性气体；气流量为5~200sccm；产物薄膜的厚度为0.5~100nm，金属膜种类包括Mo、W、Nb、Ti、V、Ta、Pt中的一种或几种。

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